精选
电子元器件型号命名规则
1，常用电阻器、电位器 第一部分 用字母表示主称 第二部分 用字母表示材料 第三部分 用数字或者字母表示分类 第四部分 用数字或者字母直接表示 额定功率 第五部分 用数字或者字母直接表示 阻值 第六部分 用数字或者字母直接表示 允许误差 第七部分 用数字或者字母直接表示 精密等级 第八部分 用数字或者字母直接表示 封装 符号 R W 意义 电阻器 电位器 符号 H S N T Y J 意义 合成膜 有机实芯 无机实芯 碳膜 氧化膜 金属膜（箔） 玻璃釉膜 线绕 符号 1，2 3 4 5 7 8 意义 普通 超音频 高阻 高温 精密 电阻器-高压 电位器-特殊 特殊 高功率 可调 微调 敏感 I X 9 G T W M
2，电容器 第一（材部分 料）第二部分 分类（第三部分） （用数字或者字母直接（用数字或者字母直接（用数字或者字母直接.
精选
表示）第四部分 表示）第五部分 表示）第六部分 .
精选
符号 C 意义 电容器 符号 C T I 意义 高频瓷 低频瓷 玻璃釉 玻璃膜 云母 云母纸 纸介 金属化纸 铝电解 钽电解 铌电解 漆膜 合金电解 其它电解材料 聚苯乙烯等非极性有机薄膜 聚酯等极性有机薄膜 符号 1 2 3 意义 瓷介 圆片 圆形 叠形 云母 非密封 非密封 密封 有机 非密封 非密封 密封 电解 箔式 箔式 烧结粉液体 烧结粉固体 无极性 特殊 容值 精密等级 封装 O 4 独石 密封 密封 Y V Z J D A N Q G E 5 6 7 8 9 G W 穿心 支柱等 高压 高功率 微调 高压 穿心 高压 特殊 B L .
精选
H 复合介质
3，电感器 第一部 分 主称 符号 L ZL 意义 线圈 高频阻流圈 第二部分 特征 符号 G 意义 高频 第三部分 型式 符号 X 意义 小型 第四部分 序号 符号 A B 意义 第五部分 符号 第六部分 意义
4，变压器 第一部 分 主称 符号 DB CB 意义 电源变压器 音频输出变压器 音频输入变压器 高压变压器 灯丝变压器 音频（阻尼）输送变压器 第二部分 特征 符号 G 意义 高频 第三部分 型式 符号 X 意义 小型 第四部分 序号 符号 A B 意义 第五部分 符号 第六部分 意义 RB GB HB SB/ZB .
精选
SB/EB 音频（定压或者自耦式）输送变压器
5，半导体二、三极管
一、中国半导体器件型号命名方法
半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分)组成。五个部分的意义分别如下：
第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管 第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。
表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材 料。
表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、 C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。 第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。
P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、
N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(f<3MHz,Pc<1W)、 G-高频小功率管(f>3MHz,Pc<1W)、D-低频大功率管(f<3MHz,Pc>1W)、 A-高频大功率管(f>3MHz,Pc>1W)、T-半导体晶闸管(可控整流器)、 Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、
BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。 第四部分：用数字表示序号
第五部分：用汉语拼音字母表示规格号例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管。 二、日本半导体分立器件型号命名方法
日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。 通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下： 第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。
0-光电(即光敏)二极管三极管及上述器件的组合管、 1-二极管、
2三极或具有两个pn结的其他器件、
3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、 ┄┄依此类推。
第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。
S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。 第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。
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电子元器件型号命名规则
