Table 3. Static Electrical Characteristics (Continued)
Characteristics noted under conditions of 4.75 V ≤ VDD ≤ 5.25 V, 8.0 V ≤ VBB ≤ 18 V, -40?C ≤ TC ≤ 125?C, unless otherwise noted. Characteristic Symbol Min Typ Max Unit ISO I/O
X VV Input Low Voltage Threshold = 0 Ω, T = 0.8 V R (15) ISO DD IL(ISO) – – IH(ISO)0.4 x VBB V Input High Voltage Threshold RISO = 0 Ω, TX = 0.8 VDD (16) 0.7 x VBB 0.05 x VBB – – – 0.1 x VBB V VIHys(ISO) PU(ISO) V μA Internal Pull-Up Current Input Hysteresis (17) -5.0 – -140 RISO = ∞ Ω, TX = 0.8 VDD, VISO = 9.0 V, VBB = 18 V (18)Short Circuit Current Limit RISO = 0 Ω, TX = 0.4 VDD, VISO = VBB I mA SC(ISO) 50 – 1000 Output Low Voltage Output High Voltage VV OL(ISO) – – 0.1 x VBB V RISO = 510 Ω, TX = 0.2 VDD V RISO = ∞ Ω, TX = 0.8 VDD OH(ISO) 0.95 x VBB – – Notes 15. ISO ramped from 0.8 VBB to 0.4 VBB, Monitor RX, Value of ISO voltage at which RX transitions to 0.3 VDD. 16. ISO ramped from 0.4 VBB to 0.8 VBB, Monitor RX, Value of ISO voltage at which RX transitions to 0.7 VDD.
17. Input Hysteresis, VHys(ISO) = VIH(ISO) - VIL(ISO). 18. ISO has internal current limiting.
DYNAMIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Table 4. Dynamic Electrical Characteristics
Characteristics noted under conditions of 4.75 V ≤ VDD ≤ 5.25 V, 8.0 V ≤ VBB ≤ 18 V, -40?C ≤ TC ≤ 125?C, unless otherwise noted. Characteristic Symbol Min Typ Max Unit μs Fall Time (19) tfall(ISO) – – 2.0 RISO = 510 Ω to VBB, CISO = 10 nF to Ground (20)ISO Propagation Delay (21)High to Low: RISO = 510 Ω, CISO = 500 pF Low to High: RISO = 510 Ω, CISO = 500 pF (22) t PD(ISO) – – – – 2.0 2.0 μs Notes 19. Time required ISO voltage to transition from 0.8 VBB to 0.2 VBB.
20. Changes in the value of CISO affect the rise and fall time but have minimal effect on Propagation Delay.
21. Step TX voltage from 0.2 VDD to 0.8 VDD. Time measured from VIH(ISO) until VISO reaches 0.3 VBB. 22. Step TX voltage from 0.8 VDD to 0.2 VDD. Time measured from VIL(ISO) until VISO reaches 0.7 VBB.
ELECTRICAL PERFORMANCE CURVES
- RA0.6
(D LO0.575 VIH; VDD = 5.25 V, VBB =
18V
H
VIH; VDD = 4.75 V, VBB =
RES0.55
8.0 VHT
T U0.525 NPI V,IL; VDD = 5.25 V, VBB =
HI0.5
V18 V
dn
a 0.475
VIL; VDD = 4.75 V, V8.0 V
BB =
LIV-50
0 50 100 150 TA, AMBIENT TEMPERATURE (?C)
Figure 4. ISO Input Threshold/VBB vs. Temperature
0.95 ) sμ (0.9 EM V DD = 5.25 V, VBB = 18 V I0.85 TLLAF0.8 OSI ,0.75 S)I(O0.7
VDD = 4.75 V, VBB = 8.0 V t
0.65
-50 0 50 100 150
TA, AMBIENT TEMPERATURE (?C)
Figure 5. ISO Output/VBB vs. Temperature
)1.2 OIT VOH RA1.0 (TUP0.8 TU O0.6 VDD = 4.75 V, VBB = 8.0 V O and SI ,0.4 VDD = 5.25 V, VBB = 18 V OH V dn0.2 a O L V0 VOL
-50 0
50 100 150
TA, AMBIENT TEMPERATURE (?C)
Figure 6. ISO Fall Time vs. Temperature
) μs0.7 ( Y VDD = 5.25 V, VBB = 18 V APdL0.6 H-L ED
VDD = 4.75 V, VBB = 8.0 V NO I0.5 TAGAP0.4 ORP ,0.3 VDD = 5.25 V, VBB = 18 V
Pd L-H )O VDD = 4.75 V, VBB = 8.0 V t0.2
-50 0 50 100 150
TA, AMBIENT TEMPERATURE (?C)
Figure 7. ISO Propagation Delay vs. Temperature
faPD(ISTYPICAL APPLICATIONS
INTRODUCTION
33290是符合ISO 9141物理总线规范的串行链路总线接口设备。 该设备专为汽车环境使用而设计，符合加州空气资源委员会（CARB）使用ISO K线提出的车载诊断（OBD）要求。 该设备未包含ISO L线。 它提供了从微控制器到通信总线的双向
半双工通信接口。 33290包含用于将数字转换从5.0 V微控制器逻辑电平转换为电池电平逻辑以及从电池电平逻辑转换为5.0 V逻辑电平的电路。采用8引脚SOP封装
FUNCTIONAL DESCRIPTION
33290将5.0 V微控制器逻辑信号转换为电池级逻辑信号，反之亦然。最大数据速率
由下降时间和上升时间设置。下降时间由输出驱动器设置。上升时间由总线电容和总线上拉电阻设置。 33290的下降时间使用最大30％的位时间转换值，可实现高达150 kbps的数据速率。串行链路接口在6.0至18 V的电池电压范围内将保持全部功能。该器件在8.0至18 V的动态VBB电压范围内通过参数指定。
微控制器所需的输入电平与通常用于为微控制器供电的VDD电压成比例关系。这增强
了33290与微控制器的RX和TX控制输入信号保持协调的能力。 RX和TX控制输入与标准5.0 V CMOS电路兼容。出于容错目的，来自微控制器的TX输入具有内部无源上拉至VDD，而CEN输入具有内部无源下拉至地。内部提供电池上拉以及活动数据下拉。内部有源下拉电阻受电流限制保护，以防止电池短路，并通过热关断进一步保护。典型应用通过在电池中集成外部510上拉电阻和二极管来实现电池反接保护。
通过使用电池反接二极管（第1页的简化应用图中的“ D”）提供设备的电池反接保
护。通过使用一个45 V齐纳二极管和一个连接到VBB电源的500Ω电阻来提供设备的电池线瞬态保护，如同一图所示。通过使用连接至VBB器件引脚的电容器和与连接至ISO引脚的27 V齐纳二极管一起使用的电容器，可防止退出模块的通信线路对设备ESD产生静电。.
PACKAGING
PACKAGE DIMENSIONS
D SUFFIX
EF SUFFIX (PB-FREE)
8-PIN
PLASTIC PACKAGE 98ASB42564B REV. U
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MCZ33290EFR2 MC33290DR2 ISO K线串行链接接口芯片 - 图文
