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一、选择题
1.Gordon Moore在1965年预言:每个芯片上晶体管的数目将每个月翻一番。 （B） A.12 B.18 C.20 D.24 2.MOS管的小信号输出电阻是由MOS管的效应产生的。 （C）
A.体 B.衬偏 C.沟长调制 D.亚阈值导通 3.在CMOS模拟集成电路设计中，我们一般让MOS管工作在区。 （D） A.亚阈值区 B.深三极管区 C.三极管区 D.饱和区 4.MOS管一旦出现现象，此时的MOS管将进入饱和区。 （A）
A.夹断 B.反型 C.导电 D.耗尽 5.表征了MOS器件的灵敏度。 （C） A.ro B.gmb C.gm D.uncox
6.Cascode放大器中两个相同的NMOS管具有不相同的。 （B） A.ro B.gmb C.gm D.uncox
7.基本差分对电路中对共模增益影响最显著的因素是。 （C） A.尾电流源的小信号输出阻抗为有限值 B.负载不匹配 C.输入MOS不匹配 D.电路制造中的误差
8.下列电路不能能使用半边电路法计算差模增益。 （ C ） A.二极管负载差分放大器 B.电流源负载差分放大器
C.有源电流镜差分放大器 D.Cascode负载Casocde差分放大器
9.镜像电流源一般要求相同的。 （ D ） A.制造工艺 B.器件宽长比 C.器件宽度W D.器件长度L 10. NMOS管的导电沟道中依靠导电。 （ ）
A.电子 B.空穴 C.正电荷 D.负电荷 11.下列结构中密勒效应最大的是。 （A）
A.共源级放大器 B.源级跟随器
C.共栅级放大器 D.共源共栅级放大
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器
12.在NMOS中，若Vsb?0会使阈值电。 （A） A.
增
大
B.
不
变
C.
减
小 D.可大可小 13. 模拟集成电路设计中可使用大信号分析方法的是。 （C）
A.增益 B.输出电阻 C.输出摆幅 D.输入电阻
14. 模拟集成电路设计中可使用小信号分析方法的是。 （A）
A.增益 B.电压净空 C.输出摆幅 D.输入偏置
15. 下图中，其中电压放大器的增益为-A，假定该放大器为理想放大器。请计算该
电路的等效输入电阻为。 （）
第15题
A.
RR B. C.R(1?A)D. R(1?1A)
1?1A1?A16.不能直接工作的共源极放大器是共源极放大器。 （C）
A.电阻负载 B.二极管连接负载
C.电流源负载 D.二极管和电流源并联负载
17.模拟集成电路设计中的最后一步是。 （B） A.
电
路
设
计
B.
版
图
设
计 C.规格定义 D.电路结构选择
18.在当今的集成电路制造工艺中，工艺制造的IC在功耗方面具有最大的优
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势。 （B）
A.MOS B.CMOS C.Bipolar D.BiCMOS 19.PMOS管的导电沟道中依靠导电。 （B）
B.电子 B.空穴 C.正电荷 D.负电荷
20.电阻负载共源级放大器中，下列措施不能提高放大器小信号增益的是。 （D） A.增大器件宽长比 B.增大负载电阻
C.降低输入信号直流电平 D.增大器件的沟道长度L
21. 下列不是基本差分对电路中尾电流的作用的是。 （D）
A.为放大器管提供固定偏置 B.为放大管提供电流通路
C.减小放大器的共模增益 D.提高放大器的增益
22.共源共栅放大器结构的一个重要特性就是输出阻抗。 （D） A.
低
B.
一
般
C.
高 D.很高
23. MOS管的漏源电流受栅源过驱动电压控制，我们定义来表示电压转换电流的能力。 （A） A.
跨
导
B.
受
控
电
流
源
C.
跨
阻 D.小信号增益
24.MOS管漏电流的变化量除以栅源电压的变化量是。 （C） A.
电
导
B.
电
阻
C.
跨
导 D.跨阻
25.随着微电子工艺水平提高,特征尺寸不断减小,这时电路的工作电压会（ D） A.不断提高 B.不变 C.可大可小 D.不断降低
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26.工作在饱和区的MOS管，可以被看作是一个。 （B）
A.恒压源 B.电压控制电流源
C.恒流源 D.电流控制电压源
27.模拟集成电路设计中的第一步是。 （C）
A.电路设计 B.版图设计
C.
规
格
定
义 D.电路结构选择 28.NMOS管中，如果VB变得更负，则耗尽层。 （C）
A.不变 B.变得更窄 C.变得更宽 D.几乎不变
29.模拟集成电路设计中的最后一步是。 （B） A.计
电
路
设
计
B.
规
版格
图
设定
C.
义 D.电路结构选择
30. 不能直接工作的共源极放大器是（ C ）共源极放大器。
A.电阻负载 B.二极管连接负载
C.电流源负载 D.二极管和电流源并联负载
31.采用二极管连接的CMOS，因漏极和栅极电势相同，这时晶体管总是工作在 。 （ ）
A.线性区 B.饱和区 C.截止区 D.亚阈值区 32.对于MOS管，当W/L保持不变时，MOS管的跨导随过驱动电压的变化是 。 （ ） A.单调增加 B.单调减小 C.开口向上的抛物线 D.开口向下的抛物线
33.对于MOS器件,器件如果进入三极管区(线性区), 跨导将 。 （ ） Ａ.增加 B.减少 C.不变 D.可能增加也可能减小
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34. 采用PMOS二极管连接方式做负载的NMOS共源放大器，下面说法正确的是
。
（ ）
A. PMOS和NMOS都存在体效应，电压放大系数与NMOS和PMOS的宽长比有关 。 B． PMOS和NMOS都存在体效应，电压放大系数与NMOS和PMOS的宽长比无关。 C. PMOS和NMOS 不存在体效应，电压放大系数与NMOS和PMOS的宽长比无 关 。
D． PMOS和NMOS不存在体效应，电压放大系数与NMOS和PMOS的宽长比有关 。 35. 在W/L保持不变的情况下，跨导随过驱动电压和漏电流变化的关系是 （ ）
A.跨导随过驱动电压增大而增大，跨导随漏电流增大而增大。 B. 跨导随过驱动电压增大而增大，跨导随漏电流增大而减小。 C. 跨导随过驱动电压增大而减小，跨导随漏电流增大而增大。 D. 跨导随过驱动电压增大而减小，跨导随漏电流增大而减小。
36.和共源极放大器相比较, 共源共栅放大器的密勒效应要 。 （ ） A.小得多 B.相当 C.大得多 D.不确定
37. MOSFETs的阈值电压具有 温度特性。 （ ） A . 零 B. 负 C. 正 D. 可正可负。
38.在差分电路中, 可采用恒流源替换”长尾”电阻. 这时要求替换”长尾”的恒
流
源
的
输
出
电
阻 。 （ ） A．越高越好 B.越低越好 C. 没有要求 D. 可高可低 39.MOS器件中，保持VDS不变，随着VGS的增加，MOS器件 。 （ ） A. 从饱和区——>线性区——>截止区 B. 从饱和区——>截止区——>线性区
C. 从截止区——>饱和区——>线性区 D. 从截止区——>线性区——>饱和区
40.对于共源共栅放大电路, 如果考虑器件的衬底偏置效应, 则电压增益会
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