(3)设计PWM波形发生电路,使能通过按键对电机转速进行调节,要求
至少有两个速度控制按键,其中一个为加速键(每按一次,使电机转速增加);另一个为减速键,功能与加速键相反。 (4)撰写课程设计报告。 2.2组内分工
(1)负责直流电动机调速控制硬件设计及电路焊接:主要由胡佳春和叶秋平完成
(2)负责调速控制软件编写及调试:主要由朱健和叶秋平完成 (3)撰写报告:主要由胡佳春和朱健完成
3、系统设计原理
脉宽调制技术是利用数字输出对模拟电路进行控制的一种有效技术,尤其是在对电机的转速控制方面,可大大节省能量,PWM控制技术的理论基础为:冲量相等而形状不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时,其效果基本相同,使输出端得到一系列幅值相等而宽度不相等的脉冲,用这些脉冲来代替正弦波或其他所需
要的波形。按一定的规则对各脉冲的宽度进行调制,既可改变逆变电路输出电压的大小,也可改变输出频率。
直流电动机的转速n和其他参量的关系可表示为
n?Ua?Ia?RaCe? (1)
式中 Ua——电枢供电电压(V); Ia ——电枢电流(A); Ф——励磁磁通(Wb); Ra——电枢回路总电阻(Ω);
CE——电势系数, ,p为电磁对数,a为电枢并联支路数,N为导体数。
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由式(1)可以看出,式中Ua、Ra、Ф三个参量都可以成为变量,只要改变其中一个参量,就可以改变电动机的转速,所以直流电动机有三种基本调速方法:(1)改变电枢回路总电阻Ra;;(2)改变电枢供电电压Ua;(3)改变励磁磁通Ф。
4、方案选择及论证 4.1、方案选择
4.1.1、改变电枢回路电阻调速
可以通过改变电枢回路电阻来调速,此时转速特性公式为
n=U-【I(R+Rw)】/KeФ (2)
式中Rw为电枢回路中的外接电阻(Ω)。
当负载一定时,随着串入的外接电阻Rw的增大,电枢回路总电阻R=(Ra+Rw)增大,电动机转速就降低。Rw的改变可用接触器或主令开关切换来实现。 这种调速方法为有级调速,转速变化率大,轻载下很难得到低速,效率低,故现在这种调速方法已极少采用,本次设计不采用。 4.1.2、改变励磁电流调速
当电枢电压恒定时,改变电动机的励磁电流也能实现调速。由式1-1可看出,电动机的转速与磁通Ф(也就是励磁电流)成反比,即当磁通减小时,转速n升高;反之,则n降低。与此同时,由于电动机的转矩Te是磁通Ф和电枢电流Ia的乘积(即Te=CTФIa),电枢电流不变时,随着磁通Ф的减小,其转速升高,转矩也会相应地减小。所以,在这种调速方法中,随着电动机磁通Ф的减小,其转矩升高,转矩也会相应地降低。在额定电压和额定电流下,不同转速时,电动机始终可以输出额定功率,因此这种调速方法称为恒功率调速。
为了使电动机的容量能得到充分利用,通常只是在电动机基速以上调速时才 采用这种调速方法。本次设计不采用。
5、系统电路总设计
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图6 总体电路原理图
本次课程设计采用定频调宽法:T1+T2保持一定,使T1在0~T范围内变化来改变a的值从而达到调压的目的。以89S51单片机系统和7805稳压电源系统以及光电耦合MOSFET部分组成。由键盘K1和K2发出指令,单片机处理后经P26口发出矩形波,通过占空比的调节达到电机调速的目的。当按下key1按键时,IRF740MOSFET功率管1脚的高电平占空比增大,电枢电压增大,电机转速增大;当按下key2按键时,IRF740MOSFET功率管1脚的高电平占空比减小,电枢电压减小,电机转速减小。从而通过单片机达到简单调速的目的。 5.1、单片机最小系统部分
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图7 最小单片机系统
本次设计中主要应用了89S51单片机,由最小单片机系统组成,并将单片
机的P26口作为输出口,输出占空比不同的矩形波,供给后续驱动电路部分,在单片机的外围扩展了两个按键,K1作为加速按键,K2作为减速按键,进行调速控制。
5.2、驱动电路部分
图8驱动电路
驱动部分主要由用的光电耦合器和MOSFET组成,由单片机的P26口提供的信号,P26当为高电平时,发光管导通,光电耦合器输出低电平,MOSFET关闭,回路关闭。当P26口为低电平时,发光管关闭,光电耦合器输出为高电
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平,MOSFET打开,回路导通。 5.3、电源部分
图9电源电路
电源部分采用的是三端稳压器7805,输入由AC-DC变压器提供+9V直流
电,经7805稳压,由电容滤波,输出+5V电压,为单片机提供工作电源。 实验数据记录
答辩时得知数据有偏差,但确实为实验实测数据。附录有图。
6、硬件调试过程
序号 转速(VPM) 电压(V) 转速和电压的关系 1 2 3 1193 1073 906 169 152.3 129.1 4 717 102.4 由于我在实习的缘故,调试过程主要由叶秋平完成,调试的过程中得到了杨
成安同学的大力帮助,调试工程中出现了一个问题:电机转速快,不能调速。经过大家商量,大致的调试步骤如下: 用示波器检测检查电路
1.使用按键,示波器检测MOSFET功率管1脚,发现其占空比能改变。 2.检测P2.6,光耦隔离开关发射端A脚,接受端C脚,波形正常。然后检测MOSFET功率管1脚的波形,发现其低电平为1v左右,高电平为13v左右。 3.最后猜想可能是1V的电平也可能使MOSFET功率管导通,于是减小MOSFET
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PWM控制的调速方法
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