SiO2掺杂对PMS-PZT陶瓷结构和电性能的影响
范桂芬;吕文中;汪小红;杨桁
【期刊名称】《电子元件与材料》 【年(卷),期】2005(024)007
【摘要】对Pb0.98Sr0.02(Mni/3Sb2/3)0.1Zr0.47Ti0.43O3(简称PMS-PZT)+w(SiO2)(0≤w≤0.6%)三元系压电陶瓷材料的微观结构和电性能进行了研究.XRD图谱表明室温下该材料为钙钛矿结构,并随SiO2掺杂物的加入材料由四方相向三方相转变.实验结果表明:当w(SiO2)为0.1%时,在1 300℃,1 h条件下烧结,能获得较好的综合性能:εr为1642,tgδ为0.004 3,kp为0.57,Qm为1 553,d33为325 pC·N-1,可以满足压电电动机和压电变压器等高功率应用方面的要求.
【总页数】3页(35-37)
【关键词】无机非金属材料;锰锑-锆-钛酸铅;压电陶瓷;二氧化硅掺杂;压电性能 【作者】范桂芬;吕文中;汪小红;杨桁
【作者单位】华中科技大学电子科学与技术系,湖北,武汉,430074;华中科技大学电子科学与技术系,湖北,武汉,430074;华中科技大学电子科学与技术系,湖北,武汉,430074;华中科技大学电子科学与技术系,湖北,武汉,430074 【正文语种】中文 【中图分类】TM28 【相关文献】
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SiO2掺杂对PMS-PZT陶瓷结构和电性能的影响
