600 V耗尽型GaN功率器件栅极驱动方案设计
潘溯;胡黎;冯旭东;张春奇;明鑫;张波
【期刊名称】《电源学报》 【年(卷),期】2024(017)003
【摘要】介绍了一种适用于600 V耗尽型氮化镓GaN(gallium nitride)器件的栅极驱动策略以及对应的驱动电路,并分析了采用耗尽型GaN功率器件的原因.驱动电路在功率管开启过程的2个阶段采用2种驱动强度的电流,在减小功率管开启过程中dv/dt的同时,保证功率管的开启速度.基于0.35μm BCD工艺对电路进行仿真验证,结果表明:在600 V输入电压的半桥驱动应用下,驱动电路在GaN功率器件阈值电压前提供700 mA驱动电流,达到阈值电压后提供190 mA稳定驱动电流,开关节点的dv/dt为150 V/ns,传输延迟加开启延迟为20 ns.
【总页数】7页(57-63)
【关键词】耗尽型GaN器件;600V高压;栅极驱动 【作者】潘溯;胡黎;冯旭东;张春奇;明鑫;张波
【作者单位】电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都 610054;电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都 610054;电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都 610054;电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都 610054;电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都 610054;电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都 610054
【正文语种】中文
【中图分类】TN386 【相关文献】
1.增强型GaN功率器件栅驱动技术设计考虑 [J], 明鑫; 张宣; 周琦; 张波 2.英飞凌将与松下电器联袂,双双推出常闭型600V GaN功率器件 [J], 江安庆 3.GaN功率器件预驱动芯片设计与封装集成 [J], 严鼎; 孙伟锋; 祝靖; 李冬冬 4.美国电力研究所（EPRI）600MW改进型压水堆（AP600）方案设计简介 [J], 朱文煜
5.IR推出革命性氮化镓基功率器件技术平台 专有的硅上GaN器件和功率器件技术预示着电源转换新纪元的到来 [J],
以上内容为文献基本信息，获取文献全文请下载
600 V耗尽型GaN功率器件栅极驱动方案设计
