AlGaInP-LED微显示器件

（19）中华人民共和国国家知识产权局

（12）实用新型专利

（21）申请号 CN200720093946.2 （22）申请日 2007.06.20

（71）申请人 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所

地址 130031 吉林省长春市东南湖大路16号

（10）申请公布号 CN201119048Y

（43）申请公布日 2008.09.17

（72）发明人 梁静秋;王波;王维彪;梁中翥;朱万彬 （74）专利代理机构 长春菁华专利商标代理事务所

代理人 赵炳仁

（51）Int.CI

权利要求说明书 说明书 幅图

（54）发明名称

AlGaInP－LED微显示器件

（57）摘要

本实用新型属于发光显示技术领域，

是一种高亮度微显示器件及制作方法。本实用新型所述的微显示器件包括有：上电极、透光层、发光层、反射层、基片、下电极、上保护层、光阑。上述器件制备过程包括：(A)在透光层和基片上制作金属薄膜和保护层，(B)制作上隔离沟槽和制备上电极，(C)制备光阑，(D)制作下隔离沟槽，(E)制作下电极；封装、制作电路引线，完成器件制作。本实用新型采用无机主动发光二极管芯片制备微显示器件，结构简单、牢固、响应

快；克服了有机发光器件寿命短和驱动电流低而限制光输出强度的问题，提供一种自发光、体积小、功耗低并基于高亮度发光芯片的微显示器件。 法律状态

法律状态公告日

2008-09-17 2011-08-24

法律状态信息

授权 专利权的终止

法律状态

授权

专利权的终止

权利要求说明书

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