4.2 载流子的散射及对漂移运动的影响 - 图文 

4.2 载流子的散射及其对漂移运动的影响1.散射的原因?散射的原因晶格周期性势场遭到破坏而存在附加势场，引起载流子发生不同状态（k）的跃迁。

?散射机构——能够破坏周期性势场的因素（1）杂质

（电离杂质；中性杂质）（2）缺陷

（空位；填隙原子；位错；晶界）（3）晶格振动

2.主要的散射机构（1）电离杂质散射在电离施主或电离受主周围形成库仑势场，局部地破坏了杂质附近晶格的周期性势场，引起载流子的散射。

?散射几率单位时间内一个载流子受到散射的次数称为散射几率。

?电离杂质散射的散射几率Pi?NiT

?32

n Ni（=ND+NA）越高，散射几率越大；

n 温度升高导致载流子的热运动速度增大，更容易掠过电离杂质周围的库仑势场，散射的几率反而越小。

（2） 晶格振动的散射? 半导体中格点原子的振动引起载流子的散射，称为晶格振动散射。

?格波? 格点原子的振动都是由若干个不同基本波动按照波的迭加原理组合而成；

? 每一个基本波动被称为一个格波。其波矢用 q 表示，其大小为 q?2??