（19）中华人民共和国国家知识产权局
（12）发明专利申请
（21）申请号 CN200610164521.6 （22）申请日 2006.12.05
（71）申请人 东京毅力科创株式会社
地址 日本东京
（10）申请公布号 CN101005031A
（43）申请公布日 2007.07.25
（72）发明人 冈信介
（74）专利代理机构 北京纪凯知识产权代理有限公司
代理人 龙淳
（51）Int.CI
H01L21/316; H01L21/00; C23C16/00; H05H1/00;
权利要求说明书 说明书 幅图
（54）发明名称
等离子体处理装置和等离子体处理装置的控制方法
（57）摘要
本发明提供一种等离子体处理装置，在腔
室内壁表面上形成厚度均匀的覆盖膜。微波等离子体处理装置(100)的腔室(10)，被基座(11)和挡板(18)分隔为处理室(10u)和排气室(10d)，在对基板G进行成膜处理前，在腔室内壁上形成预涂
膜，此时，将基座(11)下降，使得在基座(11)和挡板(18)之间产生间隙S。如此使处理室(10u)和排气室(10d)的压差减小，通过在处理室(10u)和排气室(10d)中使沉积自由基处于几乎相同的状态，减小处理室(10u)和排气室(10d)的成膜速度差，由此能够以均匀的膜质量，形成厚度更加相等的处理室(10u)和排气室(10d)的预涂膜。
法律状态
法律状态公告日
2007-07-25 2007-09-19 2009-01-21 2015-01-21
法律状态信息
公开
实质审查的生效 授权 专利权的终止
法律状态
公开
实质审查的生效 授权 专利权的终止
权利要求说明书
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等离子体处理装置和等离子体处理装置的控制方法
