化学气相沉积——基本原理??化学输运反应（歧化反应）将薄膜物质作为源物质（无挥发性物质），借助适当的气体介质与之反应而形成气态化合物，这种气态化合物经过化学迁移或物理输运到与源区温度不同的沉积区，在基片上再通过逆反应使源物质重新分解出来，这种反应过程称为化学输运反应。设源为A，输运剂为B，输运反应通式为：????????Ge(s) + I(g) GeI(g)????????A(s) + xB(g) AB(g)22????????????XT(2)沉积区2T2T2T(1)源区1T????????????TT11KP = PABx(PB)X????????Zr(s) + I2(g) ZrI(g)????????2TT22T111????????ZnI(g) + S(g)ZnS(s) + I2(g) ????????22T22T2TT11化学气相沉积——基本原理化学输运反应条件：?ΔT = T1?T2不能太大；?平衡常数KP接近于1。化学输运反应判据：运温度。ΔGr<0根据热力学分析可以指导选择化学反应系统，估计输ΔGr=?2.3RTlogKP首先确定logKP与温度的关系，选择logKP≈0的反应体logKP小于0的温度T2。系。logKP大于0的温度T1；根据以上分析，确定合适的温度梯度。化学气相沉积——特点★化学气相沉积的特点??优点?即可制作金属薄膜，又可制作多组分合金薄膜；?成膜速率高于LPE和MBE；（几微米至几百微米？）?CVD反应可在常压或低真空进行，绕射性能好；?薄膜纯度高、致密性好、残余应力小、结晶良好；?薄膜生长温度低于材料的熔点；?薄膜表面平滑；?辐射损伤小。化学气相沉积——特点??缺点?参与沉积的反应源和反应后的气体易燃、易爆或有毒，需环保措施，有时还有防腐蚀要求；?反应温度还是太高，尽管低于物质的熔点；工件温度高于PVD技术，应用中受到一定限制；?对基片进行局部表面镀膜时很困难，不如PVD方便。化学气相沉积——特点??CVD的分类及其在微电子技术中的应用
（仅供参考）化学气相沉积 - 图文
