关于公布正研级岗位设置情况的通知
按照《半导体研究所研究应用系统正研级岗位聘用办法》【半发人教字〔2007〕39号】的相关要求，现将此次公开招聘的正研级岗位设置情况公布如下： 项目 1 岗位名称 研究员 岗位职责 研究内容： 单光子过程的物理及其器件，固态量子比特的物理方案、实验验证，量子结构中自旋极化流的产生、操控及其新概念器件探索，自旋相干过程、自旋相干操作及其它半导体中相干超快研究等。 工作目标： 能够承担、参与国家重点基础研究任务，在低维半导体量子调控方向做出国内领先、国际先进的基础研究成果。 2 高质量半导体研究内容： 低维材料的可研究半导体低维结构材料的可控生长技术，在提高材料质量的基础上研制出高性能的低维半导体光电控生长及器件器件。探索纳米尺度图形化衬底模板上半导体低维材料的控位生长技术，进一步提高量子点、量子线的生应用（支撑类） 长可控性。研究半导体低维结构与光电功能材料的MBE工艺兼容性，提高超薄层微结构材料的质量。 工作目标： 1）实现对自组织量子点、线材料的结构、光电特性的有效生长调控，研制出室温连续工作、阈值电流密度100A/cm2、最大输出功率5W的高性能量子点激光器，以及高性能GaAs基长波长量子点激光器和超短脉冲量子点激光器。 2）研制出用于单量子点发光等方面研究的高质量半导体低维材料。 3）为本单位其它相关研究方向和岗位的工作及时提供充足的高质量半导体低维材料。 2 新型宽禁带化研究内容： 合物半导体低研究宽禁带半导体低维结构材料的生长机理、p型掺杂机理；探索宽禁带低维结构材料的MOCVD生长技维结构材料与术；发展柔性衬底理论与衬底制备技术，探索MOCVD-HVPE复合工艺制备无裂纹大尺寸GaN自支撑衬底技术。 物理 工作目标： (1) 得到ZnO、AlN和InN单晶薄膜，获得p型ZnO材料，并实现ZnO多层结构的室温紫外发光； (2) 发展可实用的柔性（可协变）衬底，并GaN、ZnO和AlN的异质外延生长； (3) 实现在Si衬底上用MOCVD-HVPE复合工艺制备2英寸GaN自支撑衬底； 揭示ZnO低维结构（如一维纳米棒、零维量子点）与InN新颖纳米结构（如六角纳米花、四角纳米花结构）材料的生长机理，发现新规律、新现象和新结构，并探索其在新型量子器件方面的应用。 3 宽禁带外延材研究内容： 料及应用研究 高性能SiC外延设备研制与改进；高温、大功率、高反压SiC材料及器件应用研究；新型MEMS用高质量SiC外延材料的研制 工作目标： SiC外延设备的主要性能指标接近或达到国际商用设备的水平；使得SiC外延材料及相关器件在一定领域占有重要地位。 3 宽禁带单晶材研究内容： 料的研制： ZnO、AlN宽禁带单晶材料的研制与开发，包括单晶生长设备研制、晶体生长技术研究以及晶体加工技术研究。 工作目标： 实现宽禁带单晶的实用化，使其成为半导体照明及其它光电子器件应用领域的重要基础支撑材料。 硅基低维纳米研究内容： 结构材料生长1. UHV/CVD生长Si基（SiGe/Si、Ge/Si等）应变异质低维纳米材料及其生长动力学研究； 4 和高效发光器2. Si基纳米图案的制备与转移技术及大面积高成品率Si基片低温键合技术研究； 件与高速光电3. 三维纳米结构的Si基材料中，激子运动的受限与带间辐射跃迁增强机理和高效发光器件的研究 探测器研制 4. 1.55微米波长响应Si基异质结构高速响应光电探测器的设计与研制。 工作目标： 1. 理论和实验研究低位错密度、高荧光效率Si基纳米结构异质材料生长动力学规律； 2. 实验掌握<20nm尺寸纳米图案的制备和转移技术，SiO2/Si与Si基片大面积低温键合成品率达到50%； 3. 在低维Si基异质纳米图案结构中光泵浦实现光增益并研究实现电注入高效发光的有效途径； 4. 研究出对1.55微米波长响应，3dB带宽为10GHz的Si基光电探测器，完成863和973(1)的课题任务； 5. 研究出一种有光增益的Si基发光材料并实现电注入高效发光，完成973(2)课题任务； 培养硕士和博士研究生4-5名。 4 Si基纳米线波研究内容 导电光开关及1. 理论模拟解决纳米线中的模场问题； 微纳结构电动力学问题的研究 2. 设计制造单模波导、弯曲波导、MMI、MZI、 SSC、AIR、MRR、OGC等光子元件； 3. 开展高分辨率光刻和干法刻蚀等工艺研究，解决纳米量级工艺制造问题； 4. 光子集成：研究集成技术、工艺兼容性，在同一SOI基片上制备微纳波导光开关。 工作目标 1. 理论上解决纳米线中的模场问题和器件结构，设计制造出微纳尺寸开关； 2. 优化工艺技术，解决纳米量级工艺制造问题，探索材料、结构、电光性能的关系； 最终指标（973和863任务的最终目标）：22 SOI电光开关阵列：开关时间 < 1 ns、信道串扰 < 20 dB、输入/输出插入损耗 < 15 dB、单元功耗 < 30 mW、单元尺寸小于 5 生4-5名。 m100 m。培养硕士、博士研究5 氮化镓基蓝紫研究内容： 光激光器的研氮化镓基蓝紫光激光器的结构优化设计；激光器结构材料的MOCVD生长技术；P型GaN、Al1-xGaxN的活化制与产品开发 技术；激光器的脊形波导条形结构制备技术；激光器 F-P腔的腔面的解理技术；P型GaN和N型GaN欧姆接触技术；激光器腔面镀膜技术；激光器倒装的热沉设计和制备技术；激光器的倒装焊技术。大功率氮化镓基蓝紫光激光器的研制和应用研究。 工作目标： 在研制成功室温连续工作的氮化镓激光器的基础上，进一步优化器件的结构设计、材料生长工艺技术和激光器的图形化工艺技术等，激光器连续工作的阈值电压小于10伏，激光器连续工作的输出功率大于20毫瓦。氮化镓基蓝紫光大功率激光器在脉冲条件下单管输出功率大于1瓦，列阵输出功率大于10瓦，并在某些领域获得应用。 5 GaAs基近红外研究内容： 低维光电子器以受限电子、光子体系中的量子物理现象研究为基础，开辟低维量子结构中新现象、新效应在新型光电发件与光子集成射和探测器件中的新应用，探索宽带光纤与无线信息网络、量子信息技术所急需的量子光电子材料与器件，芯片 研究光子集成关键技术，研制新一代GaAs基1.0—1.55m波段光电器件及集成芯片。 工作目标： 1.55m波段高速、窄带响应、高线形保真度光电探测器，GaAs基长波长波长可控垂直腔型收发集成芯片，一体化微弱信号接收模块，GaAs基1.0m—1.55m波段量子阱、量子点及异变结构激光器，以及高灵敏度量子线FET探测器。 6 超高速光电子研究内容： 器件、多波长激? 研究以EA调制器为基本单元的高速功能集成器件的结构设计、工作机理和特性的优化，研究基于光器及其集成EA调制器和探测器全光逻辑信息处理单元； 模块 ? 研究多种单片集成技术的内在规律和深层机理,整合和拓展这些技术以以完善InP基光电子功能材 料集成技术平台； 6 可调谐激光器? 研究实现微波信号与光波信号间匹配，设计出可在40Gb/s以上工作的行波电极结构高频光电子集和可集成全光成器件，研究高性能高速率光模块，提高模拟光发射器件的工作频率，研制用于产生微波信号的光外差光逻辑信息处理源； 单元 ? 研究可调谐、面发射、环境监测用激光器以及与其它功能器件的集成。 ? 在现有高速光电子器件测试平台的基础上，扩大测试参数内容和指标范围； ? ? ? ? 工作目标： 光“与门”或“非门”逻辑功能器件,运算速度为Gb/s量级； 研制40Gb/s行波EAM调制器和40Gb/s行波EML集成功能器件；研究用于40Gb/s光信息处理用电吸收调制器和相关集成器件，研制出用于时钟恢复的自脉动激光器。 研制毫米波无线通信和微波产生技术的集成光源，实现频率在12.518GHz范围内连续可调，单频工作时最高工作频率为60GHz； 研制符合ITU标准的调谐范围为30－40nm的可调谐激光器，以及多波长阵列激光器和1.6－2m波段环境监测用激光器, 研究10Gb/s长波长面发射激光器测试分析，等效电路模型，优化设计和器件封装； ? 研制波段为Ku和K模拟通信用激光器，形成小批量产品生产和销售； ? 建设高速光电子芯片和器件测试平台，实现光电子器件12.5Gb/s大信号和40GHz小信号相应特性智能化测试分析，光谱和频谱分析，分辨率达到1Hz。 7 大面阵及双色研究内容： 量子阱红外焦（1）单色量子阱红外探测器结构设计。针对长波的高精度、高耦合效率、高均匀性的光栅制备关键技术研平面探测器件究。 技术研究 （2）双色叠层长波GaAs/AlGaAs多量子阱结构和中波InGaAs/AlGaAs多量子阱器结构设计。耦合光栅的结构设计及工艺制作，双光栅效应研究、双光栅的设计、双光栅的制备。等平面互联与电极引出技术研究：等平面化研究、高填充因子的电极引出方案设计 ⑶大面阵芯片制备的成套工艺技术研究
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