在半导体晶体生长工艺中控制锥体生长的方法与系统

（19）中华人民共和国国家知识产权局

（12）发明专利申请

（21）申请号 CN00807420.8 （22）申请日 2000.03.15

（71）申请人 MEMC电子材料有限公司

地址 美国密苏里

（10）申请公布号 CN1350602A （43）申请公布日 2002.05.22

（72）发明人 史蒂文·L·金贝尔;罗伯特·R·万德三世

（74）专利代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人 王永刚

（51）Int.CI

C30B15/20; C30B15/22;

权利要求说明书 说明书 幅图

（54）发明名称

在半导体晶体生长工艺中控制锥体生长的方法与系统

（57）摘要

根据锥体斜率控制半导体单晶锥体部分生

长的方法与系统。晶体驱动单元按照目标提拉速率使生长的晶体从熔体拉出,其目标提拉速率基本上遵从生长锥体的起始速度分布。控制器计算作为晶体直径对于晶体长度变化而改变的函数的目标斜率的测量值。然后控制器产生作为锥体斜率测量值与目标锥体斜率之差的函数的误差信号,从

而对晶体驱动单元提供作为误差信号函数的提拉速率修正值。接下来,晶体驱动单元根据提拉速率修正值来调节提拉速率,以减小锥体斜率测量值与目标锥体斜率之差。目标锥体斜率被定义为一函数,它包含一个通常的指数部分和一个通常的线性部分。

法律状态

法律状态公告日2002-05-08 2002-05-22 2004-10-06

法律状态信息

实质审查的生效

公开

发明专利申请公布后的视为撤回

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实质审查的生效

公开

发明专利申请公布后的视为撤回

权利要求说明书

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