电光调制器 - 图文

电吸收调制器的基本结构

?光波导类型被普遍采用。

?横向传输类型不会产生足够高的消光比。

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Franz-Keldysh效应

在体材料中，外电场使能带倾斜，当外电场很强时，价带电子通过隧穿跃迁到导带的几率大大增加，有效带隙减少，使得吸收边红移。

Franz－Keldysh效应的特点：属于带间跃迁，加上材料抛物线型能态密度，使得体材料调制器具有吸收系数、折射率随电压变化缓慢、调制电压高、消光比低等缺点。

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量子限制的Stark 效应

在量子阱生长方向的电场作用下，电子、空穴的波函数向相反的方向移动，对应激子吸收峰的光子能量向低能的方向移动，即“红移”，同时激子束缚能下降，吸收谱中激子吸收峰值下降、吸收谱线展宽。

QCSE的特点：由于量子阱的束缚，电子和空穴需要相对更长时间才能通过隧道穿透效应从量子阱中逸出；量子阱层的厚度很小，使得束缚在其中的电子与空穴之间的库仑作用非常明显；激子共振可以存在于很大的外电场下，而不被离子化，改善了半导体电吸收调制器的性能。

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电吸收调制器的设计

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工作原理消光比插入损耗调制效率

频率啁啾与优化集成与封装

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基于量子限制的Stark 的EMA

?平行于量子阱生长方向施加电压, 吸收系数将在合适的波长下发生急剧的变化。

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