电光调制器 - 图文

消光比2014-09-19?α(0)LR=P=0)on/offout(VonP=eout(Voff=V)e?α(V)LRon/off(dB)=10log(Ron/off)=4.343?[α(V)?α(0)]L?消光比直接影响系统的误码率（BER）。?增加调制器的长度，可提高消光比。?但是光的传输损耗也将会增加。?HUST 201446插入损耗?吸收损耗–调制器越长，附加损耗越大.–需与消光比这种考虑Pin?Pout(V=0)?α(0)LLoss==1?ePin?与单模光纤的耦合损耗–采用波导耦合器可减少耦合损耗–最低可降至1 dB–典型的损耗数值为：5-6 dB2014-09-19?HUST 201447调制效率?调制效率可量化成需要多少的电压来调制光信号Ron/offΔV[Δαα(V)?α(0)]L=4.343=4.343ΔVΔF?小的失谐可增加调制效率。然而，同时也增加了附加损耗。2014-09-19?HUST 201448时域响应

?如图，在三种不同波长下，透射率与调制器电压的关系。?输出光功率可表示为：

?如果在吸收期间，产生的载流子很快被迁移走的话，EAM的时域响应将会很快。

?电吸收调制器能工作在40Gb/s的速率下。?α限制了工作波长范围为20nm。

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调制引入的啁啾

实际上，在EAM中，PM伴随着AM。

通过Kramers－Kronig关系，吸收系数的改变导致折射率的变化：

由于折射率随时间变化，相位的也随之间而变化。EAM中产生的啁啾不会很大。

EAM的啁啾可以通过应变量子阱来控制。

?HUST 2014

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