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FinFET技术
引言：2015年，这是一个FinFET的时代，FinFET器件纷纷进入移动市场，苹果，三星，华为纷纷推出自己的使用了FinFET工艺的芯片。在16nm以及14nm制程时代，只有FinFET工艺才能稳定发展，三星、台积电目前的14nm/16nm都极其依赖于FinFET技术。而在2015年12月24日这一天，美国公布了9名国家科学奖获得者和8名国家技术和创新奖获得者的名单，美籍华人科学家胡正明荣获年度国家技术和创新奖，没错就是鳍式场效晶体管（FinFET）的发明者。
为什么现在FinFET能主宰微电子前沿领域，没有使用这个技术的芯片只能落后于这个时代？
因为，早期的IC制程基本都是基于传统的平面型晶体管结构,平面型晶体管指的是MOSFET的源极、漏极、栅极和沟道的横截面处于同一平面上的晶体管。虽然平面型晶体管技术发展至今已经相当的成熟,成本也日趋低廉,但随着特征尺寸的不断缩小,漏电流和短沟效应对性能的严重影响使得平面晶体管技术已达到瓶颈阶段。而FinFET器件在抑制亚阈值电流和栅极漏电流方面有着绝对的优势，可以实现平面工艺无法达到的界限。这样，在这个超级集成度的芯片时代，使用FinFET技术无可避免。
1FinFET概述
FinFET称为鳍式场效晶体管(Fin Field-Effect Transistor；FinFET)是一种新的互补式金氧半导体(CMOS)晶体管。Fin是鱼鳍的意思，FinFET命名根据晶体管的形状与鱼鳍的相似性。闸长已可小于25纳米，未来预期可以进一步缩小至9纳米，约是人类头发宽度的1万分之1。由于在这种导体技术上的突破，未来芯片设计人员可望能够将超级计算机设计成只有指甲般大小。 FinFET源自于传统标准的晶体管—场效晶体管 (Field-Effect Transistor；FET)的一项创新设计。在传统晶体管结构中，控制电流通过的闸门，只能在闸门的一侧控制电路的接通与断开，属于平面的架构。在FinFET的架构中，闸门成类似鱼鳍的叉状3D架构，可于电路的两侧控制电路的接通与断开。这种设计可以大幅改善电路控制并减少漏电流(leakage)，也可以大幅缩短晶体管的闸长。
随着近年来对FinFET器件的白热化研究,现在的FinFETs已经发展成一个大的家族。从是否有SiO2埋氧层以及其特点出发,分为Silicon-on-Insulator(SOI)FinFET,Bulk FinFET,Body-onInsulator(BOI)FinFET等。
2FINFET 器件结构
体硅 FINFET 器件结构如下图1所示。从图中可以看出，硅 FIN 结构的两个侧面和顶部均被栅电极（Gate）所包围，形成导电沟道（为了适当的调节多栅极 MOSFET 的阈值电压， 可以选择中间带隙栅极材料， 另外一种选择是采用多晶硅栅并且通过提高沟道掺杂浓度增加阈值电压）; 源漏（S/D）分布在两侧。体硅FIN Body与硅衬底 （Si Substrate） 直接相连， 形成体硅FINFET 结构； 氧化层 （Oxide）形成栅介质（Gate Oxide）和器件隔离区（STI） ，栅极和硅鳍之间为 SiO2氧化层,其目的是为了抑制栅极漏电流。
由于 FINFET 器件具有上述独特的结构特点，因而与平面器件相比，具有多方面的优点。如下图 2所示为平面器件结构示意图，由图中可以看出：传统的2-D 平面晶体管在导通状态时在栅电极下面形成一个导电沟道，而上图中的 3-D 三栅 FINFET 晶体管在垂直 FIN 结构的三边形成导电沟道， 实现全耗尽的工作模式。由于栅电极从三边控制硅 FIN,因而三栅 FINFET 结构具有更好的沟道控制能力和更好的亚阈值斜率。此外，可
以看出 FINFET 结构为准平面结构，制备方法简单, 与 CMOS工艺兼容性好， 与平面器件相比， 其工艺成本只增加了大约2-3%。
图一 体硅FinFET器件结构示意图
图2 传统平面晶体管三维结构示意图
FinFET工艺论文.
