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学年第一学期《模拟电子》本复习题

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2014-2015学年第一学期

《模拟电子技术》期末考核参考复习题

1、在本征半导体中,若掺入微量的五价元素,则形成( N )型半导体,其多数载流子是(自由电子 );若掺入微量的三价元素,则形成( P)型半导体,其多数载流子是( 空穴 )。 2、PN结在( 正偏 )时导通,( 反偏 )时截止,这种特性称为( 单向导电 )性。 3、晶体管具有电流放大作用的外部条件是发射结( 正偏导通 ),集电结( 反偏 )

4、某晶体管工作在放大区,如果基极电流从10uA变化到20uA,集电极电流从1mA变化到1.99mA,则交流电流放大系数??( 99 )

适用于2013级(本)自动化、电气自动化、电子信息工程专业

一、填空题

5、如图:,它是( NPN )(填NPN还是PNP),其电流放大系数β=( 49)

6、场效应管从结构上可分为(MOS )和( 结型 );根据导电沟道的不同又可分为( P沟道)和

( N沟道);对于MOSFET,根据栅源电压为零时是否存在导电沟道,又可分为(耗尽型 )和( 增强型 )

7、场效应管的转移特性曲线如图:,画出该场效应管的符号:( MOS,N沟道,耗尽

型 )

8、共集电极放大电路的特点是输出电压与输入电压( 同 )相,电压放大倍数近似为( 1 ),输入电阻( 大 ),输出电阻 ( 小)

9、差分放大电路对( 差模 )输入信号具有良好的放大作用,对( 共模 )输入信号具有很强的抑制作用。

10、在单管共射放大电路中,如果静态工作点设置过高,则容易出现( 饱和)失真。(填截止或饱和) 11、在晶体管乙类互补对称功率放大电路中,采用双电源供电的电路称为( OCL)电路,采用单电源供电的电路称为( OTL )电路。

12、两级放大电路中,第一级的电压增益为40dB,第二级的电压放大倍数为10倍,则两级总电压的放大倍数为(1000 )

13、反馈放大电路中,若反馈信号取自输出电压,则为(电压 )反馈。在输入端,若反馈信号与输入信号以电压的形式进行比较,则为( 串联 )反馈, 14、负反馈虽然使放大器增益( 减小 ),但能使增益的稳定性( 提高 ),通频带( 展宽 ),放大器的非线性失真( 减小 )

15、放大电路中,为提高输入电阻则引入( 串联 )负反馈 16、在深度负反馈条件下,其闭环放大倍数Af?(1/F)

17、负反馈放大电路中,开环电压放大倍数Au?90,发馈系数Fu?0.1,则发馈深度为(10 ),闭

环放大倍数为(9 )

18、反相比例运算电路的主要特点是输入电阻( 较小 ),运放共模输入信号为(0 );同相比例运算电路的主要特点是输入电阻( 很大 ),运放共模输入信号为(较大 ) 19、理想运放工作在线性状态时,两输入端电压近似相等,称为(虚短 )

20、如图:,该电路的名字是( 反向比例)运算电路,其电压增益为( -20 )

??21、RC桥式振荡电路输出电压为正弦波时,其反馈系数Fu?( 1/3 ),放大电路的电压放大倍数Au?( 3 );若RC串并联网络中的电阻均为R,电容均为C,则振荡频率f0?( 1/2πRC)

22、用晶体管构成的三点式LC振荡电路中,谐振回路由(2 )种性质的电抗元件组成,在交流通路中接于发射极的两个电抗元件必须( 同)性质,不与发射极相接的电抗元件必须与之( 异 )性质,方能满足振荡的相位条件。

23、电压比较器输出只有(高电平 )和( 低电平)两种状态,由集成运放构成的电压比较器中,运算放大器一般工作在(非线性 )状态。

24、迟滞比较器引入了( 正)反馈,它有两个门限电压。

25、桥式整流电容滤波电路的交流输入电压有效值为U2,则该输出电压U0=(1.2U2 );当负载电阻开路时,U0=( 1.4U2 );当滤波电容开路时,U0=( 0.9U2)

二、判断题(在题后括号内打√或×)

1.因为N型半导体的多子是自由电子,所以带负电。( )

2.PN结在反向电压作用下发生的雪崩击穿是可以恢复的,而齐纳击穿则不可恢复。 ( ) 3.在光敏二极管、发光二极管、激光二极管、光电耦合器等光电子器件中,只有发光二极管是在正向电压下工作的。 ( ) 4.肖特基二极管是由金属与半导体接触而形成的,其主要特点是只依靠一种载流子工作,可以运用于高频电路。 ( ) 5.晶体管结构的特点是发射区载流子浓度很大,基区很薄,而集电区的面积较大。 ( ) 6.晶体管具有电流放大作用,说明它能够将小电流变成大电流。 ( ) 7.晶体管的输出特性曲线可分成截止区、放大区、饱和区,其中饱和区又称恒流区。 ( ) 8.在晶体管放大电路的三种组态中,只有共集电极电路的输出电压与输入电压是同相的。 ( ) 9.画交流通路的原则是:①电容开路,②直流电源短路。 ( ) 10.用图解法分析放大电路时,通常先画出直流负载线,再画出交流负载线。 ( ) 11.用微变等效法求解放大电路时,常将晶体管视为电流控制电流源,将场效应管视为电压控制电流源。 ( ) 12.共集电极电路又称射极输出器,或射极跟随器,其特点是电流放大倍数约等于1,输出与输入同相。 ( ) 13.场效应管放大电路的常用偏置电路有自偏压式与分压式两种,其中自偏压式只适用于增强型场效应管。 ( ) 14.多级放大电路的耦合方式有阻容耦合、变压器耦合、直接耦合等,其中阻容耦合最易产生零漂现象。 ( ) 15.若三级放大电路每级的电压增益为20分贝,则电路总的电压增益为60分贝.。 ( ) 16.双入双出的差分电路,只能放大共模信号,不能放大差模信号。 ( )

17.共模信号是直流信号,而差模信号是交流信号。 ( )18.若差分电路中的长尾电阻RE用电流源代替,将会大大提高共模抑制比。 ( ) 19.

20.反馈支路中串有电容时为交流反馈,反馈支路仅由电阻构成时则为直流反馈。 ( ) 21.当输出端交流短路时,反馈信号仍然存在,则该反馈为电压反馈,否则为电流反馈。 ( ) 22.引入深度负反馈后,电路的闭环增益只取决于外围反馈支路的参数,与电路的内部参数无关。

( ) 23.在负反馈放大电路中,开环放大倍数越大,闭环放大倍数就越稳定。 ( ) 24.电路中只要存在正反馈就一定能产生正弦波振荡。 ( ) 25.正弦波振荡的幅值条件只取决于正反馈的反馈系数。 ( ) 26. 27.电压比较器中,“比较”的实质是运放两输入端电压之间的比较,此时“虚短”不成立。 ( ) 28.施密特触发器与单门限比较器相同之处,是它们都只有一个门限电压值。 ( ) 29乙类与甲乙类功放电路的区别在于静态时有无偏置电流。 ( ) 30.由于电容滤波的特点,它只适用于负载变动不大,电流较小的场合。 ( ) 31运算电路中一般均引入负反馈。 ( ) 32.在运算电路中,集成运放的反相输入端均为虚地。 ( ) 33.凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。 ( ) 34.处于线性工作状态下的集成运放,反相输入端可按\虚地\来处理。 ( ) 35反相比例运算电路属于电压串联负反馈,同相比例运算电路属于电压并联负反馈。 ( ) 36处于线性工作状态的实际集成运放,在实现信号运算时,两个输入端对地的直流电阻必须相等,才能防止运算误差。 ( )

37在反相求和电路中,集成运放的反相输入端为虚地点,流过反馈电阻的电流基本上等于各输入电流之代数和。 ( ) 38.在功率放大电路中,输出功率越大,功放管的功耗越大。( ) 40. 功率的放大电路的主要作用是向负载提供足够大的功率信号。( )

41. 当OCL电路的最大输出功率为1W时,功放管的集电极最大耗散功率应大于1W。 ( ) 42. 功率放大电路的最大输出功率是指在不失真情况下,负载上可能获得的最大交流功率。( ) 43. 功率的放大电路有功率放大作用,电压放大电路只有电压放大作用而没有功率放大作用。( ) 44. 由于功率放大电路中的晶体管处于大信号工作状态,所以微变等效电路已不再适用。( )

45. 在输入电平为零时,甲乙类功放电路中电源所消耗功率是两个管子静态电流与电源电压的乘积。

( )

47.只要电路引入了正反馈,就一定会产生正弦波振荡。( ) 48.凡是振荡电路中的集成运放均工作在线性区。( )

49.非正弦波振荡电路与正弦波振荡电路的振荡条件完全相同。( ) 50.只要满足正弦波振荡的相位平衡条件,电路就一定振荡。( )

51.对于正弦波振荡电路而言,只要不满足相位平衡条件,即使放大电路的放大倍数很大也不可能产生正弦波振荡。( )

52.因为RC串并联选频网络作为反馈网络时的φF=0°,单管共集放大电路的φA=0°,满足正弦波振荡的相位条件φA+φF=2nπ(n为整数),故合理连接它们可以构成正弦波振荡电路。( )

53.在RC桥式正弦波振荡电路中,若RC串并联选频网络中的电阻均为R,电容均为C,则其振荡频率f0=1/RC。( )

54.负反馈放大电路不可能产生自激振荡。( )

55.只要集成运放引入正反馈,就一定工作在非线性区。( )

56.当集成运放工作在非线性区时,输出电压不是高电平,就是低电平。( )

57.一般情况下,在电压比较器中,集成运放不是工作在开环状态,就是引入了正反馈。( )

58.单限比较器比滞回比较器抗干扰能力强,而滞回比较器比单限比较器灵敏度高。( )

三、单项选择题

(1)PN结加正向电压时,空间电荷区将( )。

A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽

(2)设二极管的端电压为U,则二极管的电流方程是(

UUTUUTIeI(e-1) SS A. ISe B. C.

U

)。

(3)某NPN晶体管电路,测得UBE?0V,UBC??5V,则可知管子工作于_______状态 A.放大 B截止 C饱和 D无法确定

(4)在本征半导体中加入( )元素可形成N型半导体,加入(

体。

A. 五价 B. 四价 C. 三价 (5)当温度升高时,二极管的反向饱和电流将( )。 A. 增大 B. 不变 C. 减小 (6)______具有不同的低频小信号模型。

(A)NPN管和PNP管 (B)增强型场效应管和耗尽场效应管 (C)N沟道场效应管和P沟道场效应管 (D)晶体管和场效应管

(7)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为( )。 A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏

(8)工作在放大区的某三极管,如果当IB从10μA增大到20μA时,IC从1mA变为2mA,那么它的β约为( )。

A. 83 B. 91 C. 100 (9)

(10)放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是( ),而低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是( )。 A.耦合电容和旁路电容的存在

B.半导体管极间电容和分布电容的存在。 C.半导体管的非线性特性

D.放大电路的静态工作点不合适

(11)功率放大电路中采用乙类工作状态时为了提高______

(A)输出功率 (B)放大器效率 (C)放大倍数 (D)负载能力

(12)在放大电路中,如果希望输出电压受负载影响很小,同时对信号源的影响也要小,则需引入负反馈的类型是______

(A)电压串联 (B)电压并联(C)电流串联 (D)电流并联

(13)

(14)直接耦合放大电路存在零点漂移的主要原因是( )。

A.电阻阻值有误差 B.晶体管参数的分散性 C.晶体管参数受温度影响 D.电源电压不稳定 (15)欲将方波电压转换成三角波电压,应选用____ (A)微分 (B)积分 (C)乘法 (D)除法

)元素可形成P型半导

(16)UGS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有 。

A. 结型场效应管 B. 增强型MOS管 C. 耗尽型MOS管 (17)现有直接耦合基本放大电路如下:

A.共射电路 B.共集电路 C.共基电路 ①输入电阻最小的电路是( ),最大的是( );②输出电阻最小的电路是( ); ③有电压放大作用的电路是( ); ④有电流放大作用的电路是( ); ⑤高频特性最好的电路是( ); ⑥输入电压与输出电压同相的电路是( );反相的电路是( )。 (18) 为提高电路的带负载能力,集成运放的末级多采用 (

A.共射放大电路 B. 共集放大电路 C.共基放大电路 D. 任意一种 (19)若要得到一个PNP型复合管,可选择下列4种接法中的 ( )

A????????????? B?????????????? C????????????? D (20)选用差分放大电路的原因是(

)。

A.克服温漂 B. 提高输入电阻 C.稳定放入倍数

(21)差分放大电路的差模信号是两个输入端信号的( ),共模信号是两个输入端信号的( )。

A.差 B.和 C.平均值

(22)在输入量不变的情况下,若引入反馈后,( ),则说明引入的是负反馈。

A、电路稳定性变差 B、输出量增大 C、净输入量增大 D、净输入量减小 (23)用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻Re,将使电路的( (24)互补输出级采用共集形式是为了使(

)。

)。

)。 )。

)。

A.差模放大倍数数值增大 B.抑制共模信号能力增强 C.差模输入电阻增大

A.电压放大倍数大B.不失真输出电压大C.带负载能力强D.输出功率与晶体管所消耗的功率之比 (25)集成运放电路采用直接耦合方式是因为(

A.可获得很大的放大倍数 B. 可使温漂小 C.集成工艺难于制造大容量电容 (26)集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以( (27)为增大电压放大倍数,集成运放的中间级多采用(

A.减小温漂 B. 增大放大倍数 C. 提高输入电阻 A.共射放大电路 B. 共集放大电路 C.共基放大电路

(28)用一个PNP型和一个NPN型管组成等效PNP型符合管时,下图所示的abcd接法中,正确的是

( )。

12+VCCRcRc(29)图6.2电路中,I=1mA,则Ic3为( A.1mA;

B. 0.5mA;

C. 0.3mA D)。 RbVi1C1T1 VOT2C2RbVi2图6.2 图6.3 Re(30)双端输入,双端输出,差分式放大电路如图6.3,为提高电路的KCMR,Re可用( )代替。 A.大电容

(31)

B.电流源

C.电压源 D.断开 -VEE(32)功率放大电路中,二极管D1和D2的作用是( )。 A、消除饱和失真 B、消除截止失真 C、消除交越失真 D、消除双向失真 (33)功率放大电路的转换效率是指( )。 C

学年第一学期《模拟电子》本复习题

2014-2015学年第一学期《模拟电子技术》期末考核参考复习题1、在本征半导体中,若掺入微量的五价元素,则形成(N)型半导体,其多数载流子是(自由电子);若掺入微量的三价元素,则形成(P)型半导体,其多数载流子是(空穴)。2、PN结在(正偏)时导通,(反偏)时截止,这种特性称为(单向导电)性。3、晶体管具有电流放大
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