化学气相沉积工艺制备SiC涂层
刘荣军;周新贵;张长瑞;曹英斌
【期刊名称】《宇航材料工艺》 【年(卷),期】2002(032)005
【摘要】利用化学气相沉积工艺制备了SiC涂层,对涂层进行了SEM及XRD分析.考察了温度、载气和稀释气体对涂层微观结构的影响;对不同基体进行了对照试验.在1 100℃～1 300℃沉积时,随着温度的升高,SiC涂层沉积速度加快,SiC颗粒变大,同时颗粒间的孔隙也变大,涂层的致密度降低;Ar流量相对小时,制备的涂层致密、光滑.以SiCp/SiC作基体时,涂层和基体结合得很牢固,SiC颗粒会向基体中渗透,从而增强了涂层和基体之间的结合力. 【总页数】3页(42-44)
【关键词】化学气相沉积;SiC涂层 【作者】刘荣军;周新贵;张长瑞;曹英斌
【作者单位】国防科技大学航天与材料工程学院国防科技重点实验室,长沙,410073;国防科技大学航天与材料工程学院国防科技重点实验室,长沙,410073;国防科技大学航天与材料工程学院国防科技重点实验室,长沙,410073;国防科技大学航天与材料工程学院国防科技重点实验室,长沙,410073 【正文语种】中文 【中图分类】V25 【相关文献】
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化学气相沉积工艺制备SiC涂层
