第五章FET三极管及其放大管测验试题
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第五章 FET三极管及其放大管
一、判断题
结型场效应管外加的栅源电压应使栅源之间的PN结反偏，以保证场效应管的输入电阻很大。（ ）。
√
场效应管放大电路和双极型三极管放大电路的小信号等效模型相同。（ ） ×
开启电压是耗尽型场效应管的参数；夹断电压是增强型场效应管的参数。（ ） ×
IDSS表示工作于饱和区的增强型场效应管在uGS=0时的漏极电流。（ ） ×
若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零，则其输入电阻会明显变小。（ ）前往
×
互补输出级应采用共集或共漏接法。( ) √
开启电压是耗尽型场效应管的参数；夹断电压是增强型场效应管的参数。( ) ×
IDSS表示工作于饱和区的增强型场效应管在uGS=0时的漏极电流。( ) ×
结型场效应管外加的栅源电压应使栅源之间的PN结反偏，以保证场效应管的输入电阻很大。( ) √
与三极管放大电路相比，场效应管放大电路具有输入电阻很高、噪声低、温度稳
第五章FET三极管及其放大管测验试题
