AMC污染控制方案
1 AMC污染源
1.1.1 洁净室内再循环空气
在洁净室内部，污染源包括洁净室内装修材料（包括墙板、地板、密封胶等填充材料、高效过滤器等）、生产设备、操作工人以及工艺化学品及溶剂在加工过程中或堆放区域的散射或化学释放或偶然的逸出。还包括各制造区域之间的交叉反应引起的污染。
1.1.2 外界空气
通常空气中所含的污染物包括：SOx、NOx、O3、NH3、挥发性有机物、硼等（某些特定的区域）。
2 AMC的影响
分子级空气污染对半导体的影响主要表现为表面分子污染（SMC：Surface Molecular Contamination），这是由气态分子和特定表面作用而形成非常薄的化学膜，化学膜通常改变产品表面的物理、电子、化学和光学特性，主要表现在以下几个方面。
1) 导致光阻层表面硬化T型缺陷，如当有六甲基二硅胺存在硅片表面时，急性光祖涂布会产生T性缺陷。
2) 导致不能控制蚀刻速度，邻苯二甲酸酯易附着于镜片表面形成碳化硅。 3) 引起阈值电压改变，如硼族元素（硼粒子（B2O3）、BF3），会引起晶片表面污染。
4) 导致金属化制程中的金属附着力下降，这些污染物主要有：HF、HCl、H2SO4、H3PO4、Cl2、NOX、SOX等。
5) 导致芯片内连接导线因腐蚀而报废，这些污染物主要有：HF、HCl、H2SO4、H3PO4、Cl2、NOX、SOX等。
6) 造成光罩及步进设备上光学镜面模糊等。
3 AMC控制方法
常用AMC控制方法分类
1) 对控制源进行控制，如移走控制源。
2) 通风控制，即通过引入洁净空气，排走或者稀释污染空气。
3) 根除控制，目前行业中广泛应用的并证明是最有效的AMC控制方式。常采用的方法是物理吸附、化学吸附、吸收和催化。
本项目拟采用的控制方法
1）、调整区域气流和压差控制AMC的扩散。
利用CFD模型优化气流与压差，通过压差调整对AMC扩散进行控制。 2）洁净室进入管控
根据施工各个阶段对施工材料、包装物、人员进行管制控制，减少AMC的进入。
3）设置AMC实时监控系统，对浓度进行分析及时处理。
4）、对外气和循环使用的气体进行处理，可在FFU 上增加化学过滤器处理，这也是目前业界普遍采取的措施。
化学过滤器主要是利用其化学吸附的原理：可使硼含量得到有效控制，使硼的含量维持在<1ng/m3 的水平，时间可维持2年左右；可使有机气体TOC 的含量得到有效控制，使其维持在<3μg/m3 的水平；可使氨气的含量得到有效控制，使其含量维持在≤0.05μg/m3 的水平。
AMC污染控制方案
