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模拟电子技术基础结课考试

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1 单选(2分) 当温度升高时,关于本征半导体中的载流子数量的变化下面哪种说法是正确的。( ) 得分/总分 ? A. 空穴个数增加,自由电子个数基本不变。 ? B. 空穴和自由电子的个数均保持不变。 ? C. 空穴和自由电子的个数都增加,而且它们增加的数量相等。 ? D. 自由电子个数增加,空穴个数基本不变。 正确答案:C你没选择任何选项 2 单选(2分) 在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于 。 得分/总分 ? A. 温度 ? B. 本征半导体 ? C. 掺杂工艺 ? D. 杂质浓度 正确答案:D你没选择任何选项 3 单选(2分) 二极管基本电路如图所示,已知R = 1kΩ。当VDD =10V 时,分别应用理想模型和恒压降模型,求得的电流iD分别为 和 ;当VDD =1V 时,再分别应用理想模型和恒压降模型,求得的电流iD分别为 和 。 得分/总分 ? A. 1mA,0.93mA;0.1mA,0.03mA ? B. 10mA,9.3mA; 1mA,0.3mA ? C. 10mA,0.93mA;1mA,0.03mA ? D. 10mA,1mA;9.3mA,3mA 正确答案:B你没选择任何选项 4 单选(2分) 由理想二极管构成的电路如图所示,电压( )V。 得分/总分 ? A.

15

?

B.

0

?

C.

-3

?

D.

-12

正确答案:D你没选择任何选项

5

单选(2分)

单管基本共射放大电路的输出特性曲线和直流、交流负载线如图所示,由此可得出负载电阻的大小是( )kΩ。

得分/总分

?

A.

1

?

B.

6

?

C.

3

?

D.

1.5

正确答案:C你没选择任何选项 6 单选(2分) 若将如图所示电路中的电容断开,将会( )。 得分/总分 ? A. 保持不变 ? B. 增大 ? C. 减小 ? D. 等于1 正确答案:B你没选择任何选项 7 单选(2分) 在基本共射放大电路中,当输入中频小信号时,输出电压出现了底部削平的失真,这种失真是 。 得分/总分 ? A. 截止失真 ? B.

交越失真

?

C.

频率失真

?

D.

饱和失真

正确答案:D你没选择任何选项

8

单选(2分)

如图所示是一个MOSFET的转移特性,漏极电流iD的方向是它的实际方向,它是_______场效应管。

得分/总分

?

A.

N沟道增强型

?

B.

P沟道耗尽型

?

C.

P沟道增强型

?

D.

N沟道耗尽型

正确答案:C你没选择任何选项

模拟电子技术基础结课考试

1单选(2分)当温度升高时,关于本征半导体中的载流子数量的变化下面哪种说法是正确的。()得分/总分?A.空穴个数增加,自由电子个数基本不变。?B.空穴和自由电子的个数均保持不变。?C.空穴和自由电子的个数都增加,而且它们增加的数量相等。?D.自由电子个数增加,空穴个数基本不变。正确答案:C你没选择任何选项2单选(2分)在杂质半导体中,多
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