SVF12N65T/F/FG/K/S说明书
12A、650V N沟道增强型场效应管
描述
SVF12N65T/F/FG/K/S N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。 该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PWM马达驱动。 特点 ? 12A，650V，RDS(on)（典型值）=0.64?@VGS=10V ? 低栅极电荷量 ? 低反向传输电容 ? 开关速度快 ? 提升了dv/dt 能力 命名规则 产品规格分类 产 品 名 称 SVF12N65T SVF12N65F SVF12N65FG SVF12N65K SVF12N65S SVF12N65STR 封装形式 TO-220-3L TO-220F-3L TO-220F-3L TO-262-3L TO-263-2L TO-263-2L 打印名称 SVF12N65T SVF12N65F SVF12N65FG SVF12N65K SVF12N65S SVF12N65S 材料 无铅 无铅 无卤 无铅 无铅 无铅 包装形式 料管 料管 料管 料管 料管 编带 版本号：1.7 2012.09.17
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SVF12N65T/F/FG/K/S说明书 极限参数(除非特殊说明，TC=25°C)
参数范围 参 数 名 称 符号 SVF12N 65T 漏源电压 栅源电压 漏极电流 漏极脉冲电流 耗散功率（TC=25°C） - 大于25°C每摄氏度减少 单脉冲雪崩能量（注 1） 工作结温范围 贮存温度范围 TC=25°C TC=100°C VDS VGS ID IDM PD EAS TJ Tstg 225 1.8 51 0.41 786 -55～+150 -55～+150 SVF12N 65F(G) 650 ±30 12 9 48 209 1.67 212 1.7 SVF12N 65K SVF12N 65S V V A A W W/°C mJ °C °C 单位 热阻特性 参数范围 参 数 名 称 符 号 SVF12N 65T 芯片对管壳热阻 芯片对环境的热阻 RθJC RθJA 0.56 62.5 SVF12N 65F(G) 2.44 120 SVF12N 65K 0.6 62.5 SVF12N 65S 0.59 62.5 °C/W °C/W 单 位 电性参数(除非特殊说明，TC=25°C) 参 数 名 称 漏源击穿电压 漏源漏电流 栅源漏电流 栅极开启电压 导通电阻 输入电容 输出电容 反向传输电容 开启延迟时间 开启上升时间 关断延迟时间 关断下降时间 栅极电荷量 栅极-源极电荷量 栅极-漏极电荷量 符号 BVDSS IDSS IGSS VGS(th) RDS(on) Ciss Coss Crss td(on) tr td(off) tf Qg Qgs Qgd 测试条件 VGS=0V，ID=250μA VDS=650V，VGS=0V VGS=±30V，VDS=0V VGS=VDS，ID=250μA VGS=10V，ID=6.0A VDS=25V，VGS=0V， f=1.0MHz VDD=325V，ID=12A， RG=25? (注2，3) VDS=520V，ID=12A， VGS=10V (注2，3)
最小值 650 -- -- 2.0 -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- 典型值 -- -- -- -- 0.64 1476 152 4.5 37.67 61.67 80.33 46.67 24.15 7.86 7.47 最大值 -- 1.0 ±100 4.0 0.8 -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- 单位 V μA nA V ? pF ns nC 版本号：1.7 2012.09.17
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SVF12N65T/F/FG/K/S说明书 源-漏二极管特性参数
参 数 名 称 源极电流 源极脉冲电流 源-漏二极管压降 反向恢复时间 反向恢复电荷 注： 1. L=30mH，IAS=6.66A，VDD=140V，RG=25?，开始温度 TJ=25°C； 2. 脉冲测试： 脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%； 3. 基本上不受工作温度的影响。 符号 IS ISM VSD Trr Qrr 测试条件 MOS管中源极、漏极构成的反偏P-N结 IS=12A，VGS=0V IS=12A，VGS=0V， dIF/dt=100A/μS （注2） 最小值 -- -- -- -- -- 典型值 -- -- -- 590.61 5.62 最大值 12 48 1.4 -- -- 单位 A V ns μC 典型特性曲线 图1. 输出特性100变量VGS=4.5VVGS=5VVGS=5.5VVGS=6VVGS=7VVGS=8VVGS=10VVGS=15V图2. 传输特性100-55°C25°C150°C10漏极电流 – ID(A)漏极电流 – ID(A)101注：1.250μS 脉冲测试2.TC=25°C1注：1.250μS脉冲测试2.VDS=50V0.10.10.1100012345110678910漏源电压 – VDS(V)图3. 导通电阻vs.漏极电流0.80栅源电压 – VGS(V)图4. 体二极管正向压降vs. 源极电流、温度100漏源导通电阻 – RDS(ON)(?)0.780.760.740.720.700.680.660反向漏极电流 – IDR(A)VGS=10VVGS=20V-55°C25°C150°C10注：1.250μS脉冲测试2.VGS=0V1注：TJ=25°C24681012140.100.20.40.60.81.01.2漏极电流 – ID(A)源漏电压 – VSD(V)
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SVF12N65T/F/FG/K/S说明书 典型特性曲线（续）
图5. 电容特性300025002000Ciss=Cgs+Cgd(Cds=shorted)Coss=Cds+CgdCrss=Cgd图6. 电荷量特性1210VDS=520VVDS=320VVDS=130V栅源电压 – VGS(V)8642注：ID=12A电容(pF)1500100050000.1CissCossCrss注：1. VGS=0V2. f=1MHz11010000510152025漏源电压 – VDS(V)总栅极电荷 – Qg(nC)图7. 击穿电压vs.温度特性漏源导通电阻（标准化） – RDS(ON)(?)漏源击穿电压（标准化）– BVDSS(V)图8. 导通电阻vs.温度特性3.02.52.01.51.00.50.0-100注：1. VGS=10V2. ID=6.0A1.21.11.00.9注：1. VGS=0V2. ID=250μA0.8-100-50050100150200-50050100150200结温 – TJ(°C)图9-1. 最大安全工作区域(SVF12N65T)102结温 – TJ(°C)图9-2. 最大安全工作区域(SVF12N65F(G))10100μs2100μs1011ms1011ms10ms漏极电流 - ID(A)DC漏极电流 - ID(A)10ms100此区域工作受限于RDS(ON)100DC此区域工作受限于RDS(ON)10-110-210注：1.TC=25°C2.Tj=150°C3.单个脉冲010-110110210310-2注：1.TC=25°C2.Tj=150°C3.单个脉冲100101102103漏源电压 - VDS(V)
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SVF12N65T/F/FG/K/S说明书 典型特性曲线（续）
图9-3. 最大安全工作区域(SVF12N65K)102图9-4. 最大安全工作区域(SVF12N65S)102100μs100μs1011ms1011ms10msDC漏极电流 - ID(A)DC100漏极电流 - ID(A)10ms此区域工作受限于RDS(ON)100此区域工作受限于RDS(ON)10-110-210注：1.TC=25°C2.Tj=150°C3.单个脉冲010-110110210310-2注：1.TC=25°C2.Tj=150°C3.单个脉冲100101102103漏源电压 - VDS(V)漏源电压 - VDS(V)图10. 最大漏极电流vs. 壳温129漏极电流 - ID(A)630255075100125150壳温 – TC(°C)
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【VIP专享】SVF12N65原厂授权代理规格书
