一、 测试说明
现象的影响。
二、相关电路原理图和PCB
7） 开入动作电压值测量
6） 疑似异常HCT245芯片电源加电容测试。
NRC-819开入异常测试
3） 通过可调电位器，测量HC245芯片开入变位门槛值。
2） 通过可调电位器，测量HCT245芯片开入变位门槛值。
1） 测量正常与疑似异常HCT245在开入变位时输入端低电平幅值。
4） 针对疑似异常HCT245芯片，调节跳位开入前端回路参数，测试对异常
针对WDR-821B/G3开入异常现象，本次试验针对以下7项内容进行了测试：
5） 使用HC245芯片，调节跳位开入前端回路参数，测试对开入变位的影响。
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三、测试项目
1. 测量正常与疑似异常HCT245在开入变位时输入端低电平幅值
1.1 正常HCT245芯片在光耦变位时，用电压表测量YXKR1 ~YXKR11的电压为0.67V左右。
1.2 正常HCT245芯片KR1(TWKR)的电压为0.654V（返回时高电平4.24V左右）。 1.3 疑似异常HCT245芯片KR1(TWKR)的电压为0.656V（返回时高电平4.24V左右），去掉跳位面板指示灯后，KR1(TWKR)的电压为0.543V。
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2. HCT245芯片开入变位门槛值
2.1 正常HCT245芯片，测量遥信开入在1.2V左右，HCT245输出变位。
通道1：光耦后YXKR3 通道3：数据线D2 通道3：片选CS2 2.2 疑似异常芯片遥信开入变位门槛值
将YXKR9的上拉电阻两端并联一个电位器，调节电位器，测量YXKR9在1.2V左右，HCT245输出变位。变位过程中波形如下三个波形：
通道1：D0(YXKR9经HCT245输出端)，通道2：片选，通道3：YXKR9
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通道1：D0(YXKR9经HCT245输出端)，通道2：片选，通道3：YXKR9
通道1：D0(YXKR9经HCT245输出端)，通道2：片选，通道3：YXKR9 2.3 疑似异常芯片KR1(TWKR)开入变位门槛值
断开KR1(TWKR)前端回路，将YXKR9回路接入到KR1(TWKR)上，将YXKR9的上拉电阻两端并联一个电位器，调节电位器，测量YXKR9在1.09V左右，HCT245输出变位。变位过程中波形如下三个波形：
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通道1：D3(KR1经HCT245输出端)，通道2：片选，通道3：KR1
通道1：D3(KR1经HCT245输出端)，通道2：片选，通道3：KR1
通道1：D3(KR1经HCT245输出端)，通道2：片选，通道3：KR1
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地弹噪声整改案例-去耦电容和地线的重要性
