根据一些示例实施例，形成开口的步骤还可以包括：执行第三扫描操作，由此将激光束沿着与所述多个第一单元路径和所述多个第二单元路径不同的多个第三单元路径在基底的方向上照射到开口区域的边缘上。
根据一些示例实施例，该方法还可以包括在基底上形成薄膜封装层以覆盖所述多个显示器件。
根据一些示例实施例，形成开口的步骤可以包括形成开口以在基底的厚度方向上穿透基底和薄膜封装层。
根据一些示例实施例，形成所述多个显示器件的步骤可以包括：形成包括薄膜晶体管的像素电路、形成电连接到薄膜晶体管的像素电极、以及在像素电极上形成发射层并且在发射层上形成对电极。
根据一些示例实施例，在制造显示装置的方法中，该方法包括下述步骤：在包括开口区域和围绕开口区域的显示区域的基底的显示区域中形成多个显示器件；以及在开口区域中形成开口，其中，在开口区域中形成开口的步骤包括：重复执行第一扫描操作n次，由此将激光束沿着n个(n是等于或大于2的自然数)第一单元路径在基底的方向上照射到开口区域的边缘上；以及重复执行第二扫描操作n次，由此将激光束沿着与所述n个第一单元路径不同的n个第二单元路径在基底的方向上照射到开口区域的边缘上。
根据一些示例实施例，在开口区域中形成开口的步骤可以包括交替地且重复地执行第一扫描操作和第二扫描操作。
根据一些示例实施例，在第一扫描操作和第二扫描操作中的至少一个中，其中激光束的沿着邻近的单元路径中的前一单元路径的照射完成的时间点可以与其中激光束的沿着邻近的单元路径中的下一单元路径的照射开始的时间点不同。
根据一些示例实施例，所述n个第一单元路径和所述n个第二单元路径中的每者可以具有与开口区域的边缘重叠的至少一部分。
根据一些示例实施例，所述n个第一单元路径和所述n个第二单元路径可以具有相同的形状。
根据一些示例实施例，所述n个第一单元路径和所述n个第二单元路径中的至少一者可以包括彼此具有不同的长度的至少两个单元路径。
根据一些示例实施例，形成开口的步骤还可以包括：执行第三扫描操作，由此将激光束沿着与所述n个第一单元路径和所述n个第二单元路径不同的n个第三单元路径在基底的方向上照射到开口区域的边缘上。附图说明
通过下面结合附图进行的实施例的描述，这些和/或其它方面将变得更清楚和更容易理解，在附图中：
图1是根据一些示例实施例通过使用制造显示装置的方法制造的显示装置的示意性平面图；
图2是沿图1的线II-II'截取的示例剖视图；
图3是根据一些示例实施例的制造显示装置的工艺的示例的示意图；图4A和图4B是图3的制造显示装置的工艺的另一示例的示意图；图5是根据一些示例实施例的制造显示装置的工艺的示例的示意图；以及图6是根据一些示例实施例的制造显示装置的工艺的示例的示意图。具体实施方式
由于本公开允许各种改变和许多实施例，一些示例实施例的方面将在附图中示出，并在书面描述中稍为详细地被描述。然而，示例实施例不旨在将本公开限制于特定的实践模式，并且将理解的是，不脱离本公开的精神和技术范围的所有改变、所有等同物和所有替代物都包含在本公开中。在本公开的描述中，当认为相关技术的某些详细解释会不必要地模糊了本公开的实质时，可以省略它们。
将理解的是，尽管术语“第一”、“第二”等可以在此用来描述各种组件，但这些组件不应该受这些术语的限制。这些组件仅用于将一个组件与另一个组件区分开。
将理解的是，当层、区域或组件被称为形成“在”另一个层、区域或组件的“上
方”或“上”时，该层、区域或组件可以“直接地”或“间接地”形成“在”另一个层、区域或组件“上方”或“上”。即，例如，可以存在中间层、中间区域或中间组件。
在以下示例中，x轴、y轴和z轴不限于直角坐标系的三个轴，并且可以在更广泛的意义上进行解释。例如，x轴、y轴和z轴可以彼此垂直，或者可以表示彼此不垂直的不同方向。在下文中，现在将更详细地参照实施例，在附图中示出实施例的示例，其中同样的附图标记始终表示同样的元件。如在此使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关的所列项目的任何组合和所有组合。诸如“……中的至少一个(种/者)”的表述在位于一列元件之后时，修饰整列元件，而不修饰所述列中的单个元件。为了便于说明，可以夸大附图中元件的尺寸。换言之，由于为了便于说明而任意地示出了附图中的组件的尺寸和厚度，所以以下实施例不限于此。
图1是根据一些示例实施例的通过使用制造显示装置的方法制造的显示装置10的示意性平面图，图2是沿图1的线II-II'截取的示例剖视图。
首先，参照图1，显示装置10可以包括用于发光的显示区域DA和不用于发光的非显示区域NDA。非显示区域NDA可以布置为与显示区域DA相邻。显示装置10可以通过使用从布置在显示区域DA中的多个像素P发射的光来提供或显示特定图像。
显示装置10可以包括被显示区域DA至少部分地围绕的开口区域OA。根据一些示例实施例，图1示出了开口区域OA被显示区域DA完全围绕。非显示区域NDA可以包括围绕开口区域OA的第一非显示区域NDA1和围绕显示区域DA的外部的第二非显示区域NDA2。第一非显示区域NDA1可以基本上围绕开口区域OA，显示区域DA可以基本上围绕第一非显示区域NDA1，并且第二非显示区域NDA2可以基本上围绕显示区域DA。
在下文中，将有机发光显示装置描述为根据一些示例实施例的显示装置10的示例。然而，根据本公开的显示装置不限于此。根据一些示例实施例，可以使用诸如无机发光显示器、量子点发光显示器等的各种类型的显示装置。
接下来，参照图2，显示装置10可以包括开口区域OA、显示区域DA以及在开口区域OA与显示区域DA之间的第一非显示区域NDA1。显示装置10可以包括与开口区域OA对应的第一开口10H。
关于图2中所示的显示区域DA，薄膜晶体管TFT和存储电容器Cst可以在显示区域DA中布置在基底100上。
基底100可以包括多个层。例如，基底100可以包括顺序堆叠的第一基体层101、第一阻挡层102、第二基体层103和第二阻挡层104。
第一基体层101和第二基体层103中的每个可以包括聚合物树脂。例如，第一基体层101和第二基体层103可以包括诸如聚醚砜、聚芳酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二酯、聚对苯二甲酸乙二酯、聚丙烯酸酯、聚苯硫醚、聚酰亚胺、聚碳酸酯、三乙酸纤维素、醋酸丙酸纤维素等的聚合物树脂。上述聚合物树脂可以是透明的。
第一阻挡层102和第二阻挡层104中的每个可以包括防止外部杂质的渗透的阻挡层，并且可以包括包含诸如氮化硅(SiNx)和/或氧化硅(SiOx)的无机材料的单层或多层。然而，基底100不限于此。基底100可以包括包含玻璃、增强塑料树脂等的刚性基底。缓冲层201可以形成在基底100上，以防止或减少杂质渗透到薄膜晶体管TFT的半导体层
Act中的情况。缓冲层201可以包括诸如SiNx或SiOx的无机绝缘材料，并且可以包括包含
上述无机绝缘材料的单层或多层。
包括薄膜晶体管TFT和存储电容器Cst的像素电路可以布置在缓冲层201上。
薄膜晶体管TFT可以包括半导体层Act、栅电极GE、源电极SE和漏电极DE。图2中所示的薄膜晶体管TFT可以与驱动薄膜晶体管对应。根据一些示例实施例，示出了其中栅电极
GE布置在半导体层Act上并且栅极绝缘层203置于栅电极GE与半导体层Act之间的顶栅型
晶体管。然而，根据一些示例实施例，薄膜晶体管TFT可以是底栅型晶体管。
半导体层Act可以包括多晶硅。可选择地，半导体层Act可以包括非晶硅、氧化物半导体、有机半导体等。栅电极GE可以包括低电阻金属材料。栅电极GE可以包括诸如Mo、Al、
Cu、Ti等的导电材料，并且可以包括包含上述材料的单层或多层。
半导体层Act与栅电极GE之间的栅极绝缘层203可以包括诸如SiOx、SiNx、氮氧化硅
(SiON)、氧化铝、氧化钛、氧化钽和氧化铪的无机绝缘材料。栅极绝缘层203可以包括包
含上述材料的单层或多层。
源电极SE和漏电极DE可以包括具有良好导电性的材料。源电极SE和漏电极DE可以包括诸如Mo、Al、Cu、Ti等的导电材料，并且可以包括包含上述材料的单层或多层。根据一些示例实施例，源电极SE和漏电极DE可以包括Ti/Al/Ti的多层。
存储电容器Cst可以包括彼此叠置的下电极CE1和上电极CE2，并且第一层间绝缘层205置于下电极CE1和上电极CE2之间。存储电容器Cst可以与薄膜晶体管TFT叠置。关于这点，图2示出了薄膜晶体管TFT的栅电极GE与存储电容器Cst的下电极CE1对应。根据一些示例实施例，存储电容器Cst可以不与薄膜晶体管TFT叠置。
电连接到薄膜晶体管TFT的像素电极221、中间层222、对电极223和盖层230可以布置在显示区域DA中。绝缘层203、205、207和209可以布置在薄膜晶体管TFT的半导体层Act与像素电极221之间。
像素电极221可以包括诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟
(In2O3)、氧化铟镓(IGO)或氧化铝锌(AZO)的导电氧化物。根据一些示例实施例，像素电
极221可以包括反射层，所述反射层包括Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或它们的混合物。根据一些示例实施例，像素电极221还可以包括位于上述反射层上方/下方的包括ITO、IZO、ZnO或In2O3的层。
像素限定层211可以形成在像素电极221上。像素限定层211可以包括使像素电极221的上表面暴露的开口，并且可以覆盖像素电极221的边缘。像素限定层211可以包括有机绝缘材料或无机绝缘材料，或者可以包括有机绝缘材料和无机绝缘材料。
中间层222可以包括发射层。发射层可以包括发射特定颜色的光的高分子量有机材料或低分子量有机材料。中间层222可以包括在发射层上方或下方的具有各种功能的各种功能层。
制造显示设备的方法的生产技术
