SiC粉体的微波快速烧结

SiC粉体的微波快速烧结

梁宝岩， 郭 猛， 刘嘉霖， 王志炜， 汪 乐

【摘 要】摘 要： 以粗颗粒SiC粉体为原料，在不添加任何助剂的情况下，经2 min微波快速烧结，得到SiC陶瓷材料。研究结果表明，经过微波加热，粉体温度急剧升高，发出炽热的白光，粉体明显发生了烧结现象。通过扫描电镜观察发现，SiC晶粒发生了熔化、凝聚等现象，颗粒间出现了烧结颈。 【期刊名称】中原工学院学报 【年(卷),期】2015(000)003 【总页数】3

【关键词】关 键 词： 微波烧结；SiC；陶瓷 DOI:10.3969/j.issn.1671-6906.2015.03.013

基金项目：河南省教育厅科学技术研究重点项目(13A430126)

碳化硅(SiC) 陶瓷是一种非常重要的陶瓷材料，具有耐高温、耐腐蚀、质量轻以及良好的热传导性能。其用途十分广泛,可作为热交换器、防弹装甲板和火箭发动机燃烧室喉衬材料，同时也是制造燃气涡轮叶片最有潜力的候选材料之一 [1-3]。

由于SiC陶瓷具有许多广泛的用途，因此国内外进行了大量的制备研究工作。制备SiC的常用方法包括无压烧结 [4]、热压烧结 [5]、热等静压烧结 [6]、反应烧结 [7]等方法。SiC陶瓷是一种难烧结的陶瓷材料，通常其制备温度高达1 700 ℃以上，保温时间达1～2 h。国内外很多研究致力于采用新型活化烧结法以便有效促进SiC的烧结，比如采用放电等离子烧结技术 [8]，虽然该技术烧结温度低于热压温度100～200 ℃，但是烧结温度仍较高。微波烧结技术可实