模拟电子技术基础复习大纲书中有关符号的约定·大写字母、大写下标表示直流量。如，VCE、IC等。·小写字母、大写下标表示总量（含交、直流）。如，vCE、iB等。上方有圆点的大写字母、小写下标表示相量。如，vce、Ib等。第一章半导体器件基础1、理解半导体中有两种载流子电子空穴——当电子挣脱共价键的束缚成为自由电子后，共价键就留下一个空位，这个空位就称为空穴。2、理解本征半导体和本征激发本征半导体——化学成分纯净的半导体本征激发的特点——两种载流子参与导电，自由电子数（n）=空穴数（p）外电场作用下产生电流，电流大小与载流子数目有关导电能力随温度增加显著增加3、理解杂质半导体（通过掺杂，提高导电能力）（重点）N型半导体：电子是多数载流子，空穴是少数载流子，但半导体呈中性。P型半导体：空穴是多数载流子，电子是少数载流子，但半导体呈中性。少数载流子是由电子—空穴对（本征激发）产生而来，多子浓度主要取决于杂质浓度，少子浓度与温度有关。4、熟练掌握PN结形成——由于浓度差，而出现扩散运动，在中间形成空间电荷区（耗尽层），又由于空间电荷区的内电场作用，存在漂移运动，达到动态平衡。单向导电性——（重点）不外加电压，扩散运动=漂移运动，iD=0加正向电压（耗尽层变窄），扩散运动＞漂移运动形成iD加反向电压（耗尽层变宽），扩散运动为0，只有很小的漂移运动形成反向电流特性方程：iD=IS（eVo/VT-1）特性曲线：正向导通：死区、导通区反向截止：截止区、击穿区5、理解二极管单向导电性、特性方程及特性曲线与PN结相同主要参数：最大整流电流IF、反向击穿电压VBR、反向电流IR、极间电容、最高工作频率分析模型：理想模型、恒压降模型、折线模型、小信号模型导通管的压降看做常值（硅0.7V，锗0.2V）或0V（理想二极管）；截止管所在支路看做断开，电路中所有二极管状态判明后，进一步计算所要求的各物理量。6、特殊二极管——稳压管（工作在反向击穿区）反向偏置且VI＞VZ稳压原理：无论输入变化或负载变化，引起的电流变化都加于稳压管上，使输出电压稳定参数：VZ、IZ、PZM、rZ7、理解半导体三极管①类型：结构、材料硅管（VBE=0.7V）、锗管（VBE=0.2V）NPN管和PNP管电流的流向——重点②电流控制器件（重点）iC=βiBiE=(1+β)iBiB+iC=iE③三个工作区（重点）特性曲线输入：输出：饱和区：发射结、集电结均正偏，VBE=0.7V,VCES=0.3V放大区:发一正,集一反,VBE=0.7遵循iC=βiB截止区:发射结、集电结均反偏VBE＜0.5V时已进入截止区④放大条件Iα?β=C=??IB1+α?Iβ?α=C=?IE1+β?发射极正偏,集电极反偏发射区杂质浓度大，集电区杂质浓度低，基区窄，杂质浓度低。c、e不能互换；根据各电极对地电位和各电极电流判断管子类型（重点）⑤参数集电极最大允许电流ICM、集电极最大允许功耗PCM、反向击穿电压V（BR）CEO、-8、理解场效应管双极型三极管是电流控制器件，场效应管是电压控制器件。能够根据转移特性判别场效应管的类型（P40表1.4.1）结型场效应管N型：VGS＜0P型：VGS＞0增强型MOS管N型：VGS＞0P型：VGS＜0VDS＞0开启电压VT＞0VGS＜0开启电压VT＜0VDS＞0夹断电压VP＜0VGS＜0夹断电压VP＞0耗尽型MOS管（VGS可正、可负、可0）N型VP＜0VDS＞0P型VP＞0VDS＜0第二章放大电路基础一、三极管放大电路1、直流通路：Q点—图解法、近似估算法放大条件、交流参数交流通路：Av、Ri、Ro、最大输出电压幅度—图解法、模型法了解图解法求Q点直流负载线交流负载线饱和失真静态点过高（NPN，底）截止失真静态点过低（NPN，顶）信号过大增益过大引起的失真确定最大输出电压幅度VOm(交流负载线)2、小信号模型（对交流信号）rbe是动态电阻，但与静态电流IE有关。其中分析非线性失真③三种组态及特点共射极（重点）——射极为输入输出的公共端共基极——基极为输入输出的公共端共集电极——集电极为输入输出的公共端重点：掌握单管共射放大电路(包括分压式和射极偏置)电路的组成和工作原理，以及电路参数的计算①静态工作点的计算
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