（19）中华人民共和国国家知识产权局
（12）发明专利申请
（21）申请号 CN201180034596.1 （22）申请日 2011.06.07
（71）申请人 信越半导体股份有限公司
地址 日本东京都
（10）申请公布号 CN103003927A
（43）申请公布日 2013.03.27
（72）发明人 冈铁也;江原幸治;高桥修治
（74）专利代理机构 隆天国际知识产权代理有限公司
代理人 张永康
（51）Int.CI
权利要求说明书 说明书 幅图
（54）发明名称
硅基板的制造方法及硅基板
（57）摘要
本发明是一种硅基板的制造方法，其具备
以下工序：第1热处理工序，其使用快速加热和快速冷却装置，在包含氮化膜形成环境气体、稀有气体及氧化性气体中的至少一种气体的第1环境中，在高于1300℃且为硅的熔点以下的第1温度保持1～60秒，来对硅基板实施快速热处理；以及第2热处理工序，其接续该第1热处理工序，控制在第2温度及第2环境，并在经前述控制的第2温度及第2环境中，对前述硅基板实施
快速热处理，该第2温度及第2环境是用以抑制前述硅基板内部因空孔而产生缺陷。由此，提供一种硅基板的制造方法、及通过该方法所制得的硅基板，该硅基板，在距离表面至少1μm的深度，此深度成为组件制作区域，不存在氧析出物、COP、OSF等的会被RIE法所检测到的缺陷(RIE缺陷)，并且生命周期是500μsec以上。
法律状态
法律状态公告日
2013-03-27 2013-03-27 2013-04-24 2013-04-24 2017-08-18
法律状态信息
公开 公开
实质审查的生效 实质审查的生效
发明专利申请公布后的驳回法律状态
公开 公开
实质审查的生效 实质审查的生效
发明专利申请公布后的驳回
权利要求说明书
硅基板的制造方法及硅基板的权利要求说明书内容是....请下载后查看
硅基板的制造方法及硅基板
