（19）中华人民共和国国家知识产权局
（12）发明专利申请
（21）申请号 CN202410921736.5 （22）申请日 2024.09.27
（71）申请人 上海理想万里晖薄膜设备有限公司
地址 201315 上海市浦东新区秀浦路2555号A1幢8层
（10）申请公布号 CN110643971A
（43）申请公布日 2024.01.03
（72）发明人 陈金元;汪训忠 （74）专利代理机构
代理人
（51）Int.CI
权利要求说明书 说明书 幅图
（54）发明名称
用于制造异质结太阳能电池的CVD设备及其镀膜方法
（57）摘要
本发明提供用于制造异质结太阳能电池的
CVD设备及镀膜方法。所述CVD设备包括：第一CVD反应腔，其配置成接收承载有硅片的托盘，并通过第一和第二CVD工艺依次在硅片第一面上沉积I/N型非晶硅薄膜；硅片翻面装置，其配置成从第一CVD反应腔接收已完成第一和第二CVD工艺的硅片，并将硅片进行翻面而使硅片的第一面和与之相对的第二面完成对调；以及第二CVD反应腔，其配置成接收承载有经翻面后的硅片的
托盘，并通过第三和第四CVD工艺依次在硅片第二面上沉积I/P型非晶硅薄膜。本发明先后在第一、第二CVD反应腔分别完成第一面的I/N非晶硅镀膜和第二面的I/P非晶硅镀膜，还可辅以能消除硼污染的清洗工艺，能有效简化设备结构、降低自动化难度、缩小占地面积、提高设备产能。
法律状态
法律状态公告日
2024-01-03 2024-01-03 2024-02-25
法律状态信息
公开 公开
实质审查的生效
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公开 公开
实质审查的生效
权利要求说明书
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用于制造异质结太阳能电池的CVD设备及其镀膜方法
