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模拟电子技术基础第四版课后答案 - 童诗白

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学习参考

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模拟电子技术基础

第四版

清华大学电子学教研组 编

童诗白 华成英 主编

自测题与习题解答

山东大学物理与微电子学院

2

目录

第1章 常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3 第2章 基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第3章 多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第4章 集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第5章 放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第6章 放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第7章 信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第8章 波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第9章 功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第10章 直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126

3

第1章 常用半导体器件

自测题

二、选择正确答案填入空内。

(l) PN 结加正向电压时,空间电荷区将 A 。 A.变窄 B.基本不变 C.变宽 (2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。

A.正向导通 B.反向截止 C.反向击穿

(3)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。

A.前者反偏、后者也反偏 B.前者正偏、后者反偏 C.前者正偏、后者也正偏 (4) UGS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有 A 、C 。

A.结型管 B.增强型MOS 管 C.耗尽型MOS 管

四、已知稳压管的稳压值UZ=6V,稳定电流的最小值IZmin=5mA。求图Tl.4 所示电路中UO1和UO2各为多少伏。

(a) (b)

图T1.4

4

解:左图中稳压管工作在击穿状态,故UO1=6V。

右图中稳压管没有击穿,故UO2=5V。

习题

1.1选择合适答案填入空内。

(l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体,加入( C )元素可形成P 型半导体。

A.五价 B.四价 C.三价 (2)当温度升高时,二极管的反向饱和电流将(A) 。 A.增大 B.不变 C.减小

(3)工作在放大区的某三极管,如果当IB 从12 uA 增大到22 uA 时,IC 从lmA 变为2mA ,那么它的β约为( C ) 。

A.83 B.91 C.100

(4)当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时,它的低频跨导gm将( A ) 。

A.增大; B.不变; C.减小

1.3电路如图P1.3所示,已知ui?5sin?t(V),二极管导通电压UD=0.7V。试画出ui与uo的波形图,并标出幅值。

5

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