第2章 半导体三极管及其基本放大电路
一、填空题
2．1 BJT用来放大时，应使发射结处于 偏置，集电结处于 偏置；而工作在饱和区时，发射结处于 偏置，集电结处于 偏置。
2．2 温度升高时，BJT的电流放大系数? ，反向饱和电流ICBO ，发射结电压UBE 。
2．3用两个放大电路A和B分别对同一个电压信号进行放大，当输出端开路时，
UOA?UOB；都接人负载RL电阻时，测得UOA?UOB，由此说明，电路
路B的输出电阻 。
A的输出电阻比电
2．4对于共射、共集和共基三种基本组态放大电路，若希望电压放大倍数大，可选用 组态；若希望带负载能力强，应选用 组态；若希望从信号源索取电流小，应选用 组态；若希望高频性能好，应选用 组态。
2．5 FET是通过改变 来改变漏极电流(输出电流)的，所以它是一个 器件。 2．6 FET工作在可变电阻区时，iD与uDS基本上是 关系，所以在这个区域中，FET的d、s极间可以看成一个由uGS控制的 。
2．7 FET的自偏压电路只适用于 构成的放大电路；分压式自偏压电路中的栅
极电阻RS一般阻值很大，这是为了 。 二、选择正确答案填写(只需选填英文字母)
2．8 BJT能起放大作用的内部条件通常是：(1)发射区掺杂浓度 (a1．高，b1．低，c1．一般)；(2)基区杂质浓度比发射区杂质浓度 (a2．高，b2．低，c2．相同)，基区宽度
(a3．高，b3．窄，c3．一般)；集电结面积比发射结面积 (a4．大，b4．小，c4．相等)。
2．9 测得BJT IB=30μA时，IC= mA；IB=40μA时，IC=3 mA，则该管的交流电流放大系数?为 (a．80，b．60，c．75)。
2．10用万用表判别放大电路中处于正常工作的某个BJT的类型(指NPN型还是PNP型)与三个电极时，以测出 最为方便(a．各极间电阻，b．各极对地电位，c．各极电流)。
2．11 既能放大电压，也能放大电流的是 组态放大电路；可以放大电压，但不
能放大电流的是 组态放大电路；只能放大电流，但不能放大电压的是 组态放大电路(a．共射， b．共集，c．共基)。
2．12 某FET的IDSS为6 mA，而IDQ自漏极流出，大小为8 mA，则该管是 (a．P
沟道JFET， b．N沟道JFET，c．P沟道耗尽型IGFET，d．N沟道耗尽型IGFET，e．P沟道增强型IGFET，f．N沟道增强型IGFET)。
2．13 P沟道增强型IGFET的开启电压UGS(th)为 (a1．正值，b1．负值，c1．零值)，P沟道耗尽型IGFET的夹断电压UGS(off)为 (a2．正值，b2．负值，c2．零值)。 三、判断下列说法是否正确(用、／或×号表示)
2．14通常的BJT在集电极和发射极互换使用时，仍有较大的电流放大作用。( ) 2．15 有两个BJT，其中第一个管子的?1=150，，ICEO1=200 μA，第二个管子的?2=50，ICEO2=10μA，其他参数一样。由于?1>?2，因此第一个管子的性能优于第二个管子的性能。( )
2．16 BJT的输入电阻rbe。可以用万用表的“Ω”挡测出。( )
2．17 当输入电压为正弦波时，如果PNP管共发射极放大电路发生饱和失真，则基极电流iB的波形将正半波削波；( )集电极电流iC波形将负半波削波；( )输出电压uO的波形将正半波削波。( )
2．18 由于JFET与耗尽型MOSFET同属于耗尽型，因此在正常放大时，加于它们栅、源极间的电压uGS只允许一种极性。( )
2．19 由于FET放大电路的输入回路可视为开路，因此FET放大电路输入端的耦合电容Cb一般可以比BJT放大电路中相应的电容小得多。( )
解答：
正向 反向 正向 正向 增大 增大 减小 大
共射 共基 共集 共基 输入信号电压 电压型控制 线性增加 可变电阻
耗尽型FET（含JFET） 减小Rg1、Rg2的分流作用 增大放大电路的输入电阻
(a1) (b2) (b3) (a4) (b) (b)
(a) (c) (b) (c) (b1) (a2) (×) (×) (×)
(×) (×) (√) (×) (√)
2．20测得放大电路中两个BJT中的两个电极的电流如图题2．20所示。 (1)求另一电极电流的大小，并标出其实际极性； (2)判断是NPN管还是PNP管； (3)标出e、b、c电极； (4)估算?值。
解答：
（1）、（2）、（3）见图题解 （4）（a） =IC/IB= mA/ mA=60
第2章模拟电子技术基础(第4版)课后习题答案(周良权)
