200V和250V OptiMOS系列功率MOSFET

200V和250V OptiMOS系列功率MOSFET

佚名

【期刊名称】《《今日电子》》 【年(卷),期】2010(000)003

【摘要】200V和250V OptiMOS系列器件适用于48V系统、DC／DC变换器、不间断电源（UPS）和直流电机驱动。凭借极低的优质化系数（FOM），OptiMOS200V和1250V可使系统设计的导通损耗降低一半，使大电流应用能够实现极低的导通损耗。另外，极低的棚极电荷Qg有助于实现最低开关损耗和高速开关。

【总页数】2页(P.66-67)

【关键词】功率MOSFET; DC／DC变换器; 直流电机驱动; 导通损耗; 不间断电源; 低开关损耗; 高速开关; 优质化 【作者】佚名 【作者单位】 【正文语种】中文 【中图分类】TN386.1 【相关文献】

1.N沟道、250V功率MOSFET [J],

2.TLP250功率驱动模块在IRF840 MOSFET中的应用 [J], 陈永军; 翁惠辉; 李俊杰

3.ST推出250A功率MOSFET [J], 无

4.PDP扫描驱动芯片的新型200V P沟功率MOSFET及工艺研究 [J], 易扬波;

孙伟锋; 孙智林; 陈畅; 陆生礼

5.EPC推出比等效MOSFET小型化12倍的200V氮化镓功率晶体管 [J],

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