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绪论
一.
符号约定
? 大写字母、大写下标表示直流量。如：VCE、IC等。
? 小写字母、大写下标表示总量（含交、直流）。如： vCE、iB等。 ? 小写字母、小写下标表示纯交流量。如： vce、ib等。 ? 上方有圆点的大写字母、小写下标表示相量。如： 等。
二． 信号
（1）模型的转换
（2）分类
（3）频谱
二.放大电路 （1）模型
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（2）增益
如何确定电路的输出电阻ro ？
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三．频率响应以及带宽
第一章 半导体二极管
一.半导体的基础知识
1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4. 两种载流子 ----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。 6. 杂质半导体的特性
*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结
* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。 8. PN结的伏安特性
二. 半导体二极管
*单向导电性------正向导通，反向截止。 *二极管伏安特性----同ＰＮ结。
*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。
3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:
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模电总结复习资料_模拟电子技术基础(第五版)
