恩智浦Gen8+LDMOSRF功率晶体管推动TD-LTE通讯变革

恩智浦Gen8＋LDMOSRF功率晶体管推动TD-LTE通讯

变革

佚名

【期刊名称】《《中国集成电路》》 【年(卷),期】2013(022)007

【摘要】恩智浦半导体（NXPSemiconductorsN．V．）近13宣布推出伞新Gen8＋LDMOSRF功率晶体管，BLC8（）27¨～16（）AV是即将发布的第一款Gen8＋器件，用于有源天线户外基站（2．6GHz）的15w和20w功率放大器。该设备可同时支持多达5个TD—LTE载波，并提供覆盖全波段（2．5至2．7GHz）的高效率。 【总页数】1页(P.6-6)

【关键词】RF功率晶体管; 通讯; 功率放大器; 有源天线; 半导体; LTE; 全波段; 器件

【作者】佚名 【作者单位】不详 【正文语种】中文 【中图分类】TN305.94 【相关文献】

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