半导体化学清洗总结
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化学清洗总结
1.3各洗液的清洗说明;1.3.1SC-1洗液;１．3．1.1去除颗粒；硅片表面由于H2O2氧化作用生成氧化膜(约6mm;①自然氧化膜约0.6nm厚,其与NH4OＨ、H2;②ＳiO2的腐蚀速度随NH4OH的浓度升高而加快;③Si的腐蚀速度,随NＨ４OH的浓度升高而快当,；④ＮH4ＯH促进腐蚀,H２O2阻碍腐蚀；⑤若H2O２的浓度一定，ＮＨ4OH浓度越低，颗粒
1.3 各洗液的清洗说明 1.３.１ SＣ-１洗液 1.３.1.1 去除颗粒
硅片表面由于Ｈ２O2氧化作用生成氧化膜(约6ｍm呈亲水性)，该氧化膜又被NH4OH腐蚀,腐蚀后立即又发生氧化,氧化和腐蚀反复进行,因此附着在硅片表面的颗粒也随腐蚀层而落入清洗液内。
①自然氧化膜约０.6ｎｍ厚,其与NＨ4OＨ、Ｈ2O2浓度及清洗液温度无关。 ②SiO2的腐蚀速度随NH4OＨ的浓度升高而加快,其与H2O2的浓度无关。
③Si的腐蚀速度,随NH4OH的浓度升高而快当,到达某一浓度后为一定值,Ｈ２02浓度越高这一值越小。
④NH4OH促进腐蚀，H2O2阻碍腐蚀。
⑤若H2O２的浓度一定,NH4OH浓度越低,颗粒去除率也越低,如果同时降低H2O２浓度可抑制颗粒的去除率的下降。
⑥随着清洗液温度升高,颗粒去除率也提高在一定温度下可达最大值。
⑦颗粒去除率与硅片表面腐蚀量有关为确保颗粒的去除要有一定量以上的腐蚀。 ⑧超声波清洗时由于空化现象只能去除≥０.4μm颗粒。兆声清洗时由于０.8Ｍｈz的加速度作用能去除≥０.2μm颗粒，即使液温下降到40℃也能得到与80℃超声清洗去除颗粒的效果，而且又可避免超声清洗对晶片产生损伤。
⑨在清洗液中硅表面为负电位有些颗粒也为负电位，由于两者的电的排斥力作用可防止粒子向晶片表面吸附,但也有部分粒子表面是正电位,由于两者电的吸引力作用，粒子易向晶片表面吸附。
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