N+多晶硅栅薄膜全耗尽SOI CMOS器件与电路的研究
连军;海潮和;韩郑生;赵洪辰;杨荣
【期刊名称】《电子器件》 【年(卷),期】2004(027)001
【摘要】选用SIMOX(Separation by Implantation of Oxygen)衬底材料,对全耗尽SOI CMOS工艺进行了研究,开发出了N+多晶硅栅全耗尽SOI CMOS器件及电路工艺,获得了性能良好的器件和电路.nMOS和pMOS的驱动电流都比较大,且泄漏电流很小,在工作电压为3 V时,1.2μm101级环振的单级延迟仅为50.5 ps.
【总页数】3页(69-71)
【关键词】SOI;SIMOX;全耗尽;CMOS 【作者】连军;海潮和;韩郑生;赵洪辰;杨荣
【作者单位】中国科学院微电子研究所,北京,100029;中国科学院微电子研究所,北京,100029;中国科学院微电子研究所,北京,100029;中国科学院微电子研究所,北京,100029;中国科学院微电子研究所,北京,100029 【正文语种】中文
【中图分类】TN386;TN405 【相关文献】
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N+多晶硅栅薄膜全耗尽SOI CMOS器件与电路的研究
N+多晶硅栅薄膜全耗尽SOICMOS器件与电路的研究连军;海潮和;韩郑生;赵洪辰;杨荣【期刊名称】《电子器件》【年(卷),期】2004(027)001【摘要】选用SIMOX(SeparationbyImplantationofOxygen)衬底材料,对全耗尽SOICMOS工艺进行了研究,开发出了N+多晶硅栅全耗尽SO
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