半导体晶体的生长装置及方法

（19）中华人民共和国国家知识产权局

（12）发明专利申请

（21）申请号 CN201910088988.4 （22）申请日 2019.01.30

（71）申请人 广东先导先进材料股份有限公司

地址 511517 广东省清远市高新区百嘉工业园27-9B

（10）申请公布号 CN109881253A

（43）申请公布日 2019.06.14

（72）发明人 王金灵;廖彬;周铁军;刘留 （74）专利代理机构

代理人

（51）Int.CI

权利要求说明书 说明书 幅图

（54）发明名称

半导体晶体的生长装置及方法

（57）摘要

本发明涉及一种半导体晶体的生长装置，

该装置包括一炉体，炉体包括一支撑平台、垂直固定于支撑平台上的一支撑杆、一加热室，加热室形成封闭的一圆柱形空腔，支撑杆上开设一架设孔，该装置还包括位于空腔内的一环形加热器、一石英管、一籽晶、一碳帽、一第一PBN坩埚、一第二PBN坩埚以及一石英帽，石英管架设于支撑杆上；石英管包括一石英嘴以及沿石英嘴向上延伸的一石英筒，石英筒包括第一段、第二

段以及连接第一段和第二段的过渡段，第一段、第二段呈直筒状且第一段和第二段的中心轴线为同一竖直线，过渡段为弧形状，第二段的直筒半径大于第一段的直筒半径。

法律状态

法律状态公告日

2019-06-14 2019-06-14 2019-07-09

法律状态信息

公开 公开

实质审查的生效

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权利要求说明书

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