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表单编号：FGH/BD-0056-10A 实 验 报 告 №：2012081101 实验名称 晶能芯片外观检查 测量晶能芯片外形及焊盘，判断是否与基板图纸相吻合，以及检测芯片外实验目的 观缺陷 晶能芯片测量：5片 实验样品 外观检查：大于50片 实验时间 2012年 2 月 13 日--- 2012年 2月 14 日 实验人员 李宗涛 何志宏 实验条件 温度：20℃ 湿度：65% 仪器设备：莱卡显微镜 实验内容记录和数据处理 检查内容： 1、芯片、焊盘尺寸 2、芯片不良 3、外观一致性 1、芯片尺寸： 图1 晶能芯片外形及焊盘尺寸测量 关键尺寸：
序号 标称 1 2 3 4 5 L1（μm） L2（μm） L3（μm） L4（μm） L5（μm） 1000 997.42 999.96 999.25 999.36 996 1000 996.78 1000.55 998.07 999.97 999.23 75 74.36 75.64 72.43 74.79 74.99 65 67.31 66.02 64.75 64.74 66.66 800 803.83 801.22 803.19 804.47 803.65 小结： 由测量结果可以看出，晶能芯片尺寸符合标称大小，误差小于5%，与基板焊盘十分吻合。 2、芯片不良： （1） （2） （3） （4） 图2 （1）为芯片金属反射层不良 （2）芯片过孔 （2）芯片裂片不良 （4）金属镀层缺失 崩角 图3 芯片裂片崩角 小结： 本次晶能提供的芯片，部分存在芯片制内部不良，个别存在崩角不良 3、芯片一致性
图4 芯片一致性放大检查 小结： 本次我司收到的晶能LED芯片一共两张，通过在同一显微镜下观察，两张芯片一致性存在严重差异，如图4所示，左边芯片能看见全部过孔（16个大过孔及4个小过孔）；而右边放大后的图片，则不能看到四个小过孔，可推断芯片金属反射层工艺存在工艺参数不一致的情况。 实验分析与结论 结论： 晶能芯片外形轮廓基本与设计相符，误差小于5%，芯片切割较粗糙，芯片出现金属反射层不良、裂片不良等情况，个别芯片出现崩角，同时我司收到的两张芯片，工艺处在较大的一致性差异（芯片厂未告知），故可得出结论，芯片工艺仍需进一步改善，避免出现明显的外观不良及一致性问题。 注：数据较多或相关图谱、图片等可作为附件。 保存期限：长期
晶能芯片外观检查(实验报告)
