最新模电题库附答案1晶体管工作在放大区时，发射结为____，集电结为____，工作在饱和区时，发射结为____，集电结为____。A、正向偏置，B、反向偏置，C、零偏置[答案]A|B|A|A2N型半导体是在纯净半导体中掺入____；P型半导体是在纯净半导体中掺入____。A、带负电的电子，B、带正电的离子，C、三价元素，如硼等，D、五价元素，如磷等[答案]D|C3当PN结外加正向电压时，扩散电流漂移电流，耗尽层；当PN结外加反向电压时，扩散电流漂移电流，耗尽层。A、大于，B、小于，C、等于，D、变宽，E、变窄，F、不变[答案]A|E|B|D4在保持二极管反向电压不变的条件下，二极管的反向电流随温度升高而____；在保持二极管的正向电流不变的条件下，二极管的正向导通电压随温度升高而____。A、增大，B、减小，C、不变[答案]A|B5某二极管反向电压为10V时，反向电流为μA。在保持反向电压不变的条件下，当二极管的结温升高10℃，反向电流大约为____。A、0.05μA，B、0.1μA，C、0.2μA，D、1μA[答案]C6在如图所示的电路中，当V＝3V时，测得I＝1mA，。1．当V调到6V，则I将为____。A、1mA，B、大于1mA，但小于2mAC、2mA，D、大于2mA2．保持V＝3V不变，温度升高20℃，则将为____。A、小于0.7V，B、0.7V不变，C、大于0.7V[答案]D|A7电路如图所示，，当直流电源电压V增大时，二极管VD的动态电阻将____。A、增大，B、减小，C、保持不变[答案]B8在某放大电路中，测得晶体管的三个电极①、②、③的流入电流分别为－1.22mA、0.02mA、1.2mA。由此可判断电极①是____，电极②是____，电极③是____（A、发射极，B、基极，C、集电极）；该晶体管的类型是____（A、PNP型，B、NPN型）；该晶体管的共射电流放大系数约为____（A、40，B、60，C、100）[答案]A|B|C|B|B9填空：双极型晶体管从结构上可以分成________________和________________两种类型，工作时有________________和_________________两种载流子参与导电。场效应管从结构上可以分成________________和________________两大类型，因导电沟道的不同每一大类又可分为________________和________________两类，无论哪一类场效应管的导电过程都仅仅取决于________________载流子的运动。[答案]NPNPNP多子（自由电子）少子（空穴）结型绝缘栅型N沟道P沟道多数10场效应管栅极的静态输入电流比双极型晶体管基极的静态输入电流_____；绝缘栅型场效应管栅极的静态输入电流比结型场效应管的____。[答案]An小小11双极型晶体管的发射极电流放大系数反映了________________极电流对________________极电流的控制能力；而单极型场效应管常用________________参数反映________________对________________的控制能力。[答案]基集电跨导gm栅源电压漏极电流12已知某晶体管的PCM＝150mW，ICM＝50mA,，＝60V。若该管子在电路中工作电压UCE＝10V，则工作电流IC不应超过_______________mA；若工作电压UCE＝1V，则工作电流IC不应超过_______________mA；若工作电流IC＝1mA，则工作电压uCE不应超过_______________V；若工作电流IC＝10mA，则工作电压UCE不应超过_______________V。[答案]1550601513放大电路的放大能力大小常用电压放大倍数为多少倍或电压增益为多少分贝（dB）表示。例如，某放大电路电压增益为80dB，折合成电压放大倍数为________________倍；电压放大倍数为1000倍，折合成电压增益为________________dB。[答案]1046014图中所示是三种不同类型的场效应管的漏极特性曲线。试判断它们各属于什么类型的场效应管（结型、绝缘栅型；增强型、耗尽型；N沟道、P沟道）。[答案]（a）绝缘栅，耗尽型，P沟道（b）结型，（耗尽型），N沟道（c）绝缘栅，增强型，N沟道15某直接耦合放大电路在输入电压为0.1V时，输出电压为
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