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功能特色：
? 时钟计数功能，可以对秒、分钟、小时、月、星期、年的计数。年计数可达到2100年。
? 有31*8位的额外数据暂存寄存器 ? 最少I/O引脚传输，通过三引脚控制 ? 工作电压：2.0-5.5V
? 工作电流小于320 纳安（2.0V）
? 读写时钟寄存器或内部RAM（31*8位的额外数据暂存寄存）可以采用单字节模式和突发模式
? 8-pin DIP封装或8-pin SOICs ? 兼容TTL （5.0V）
? 可选的工业级别，工作温度-40 – 85摄氏度 ? 兼容DS1202较DS1202增加的功能：
1. 可通过Vcc1进行涓流充电 2. 双重电源补给
3. 备用电源可采用电池或者超级电容(0.1F以上)，可以用老式电脑主板上的3.6V充电电池。如果断电时间较短(几小时或几天)时，就可以用漏电较小的普通电解电容器代替。100 μF就可以保证1小时的正常走时。DS1302在第一次加电后，必须进行初始化操作。初始化后就可以按正常方法调整时间。
功能简述：
DS1302包括时钟/日历寄存器和31字节（8位）的数据暂存寄存器，数据通信仅通过一条串行输入输出口。实时时钟/日历提供包括秒、分、时、日期、月份和年份信息。闰年可自行调整，可选择12小时制和24小时制，可以设置AM、PM。
只通过三根线进行数据的控制和传递：电源可以让芯片在小于1MW的功率下运作。
、
、
。通过备用
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工作过程：
主要工作原理图如Figure 1 所示：移位寄存器，控制逻辑，晶振，时钟和RAM。在进行任何数据传输时，必须被制高电平（注DS1302 BLOCK DIAGRAM Figure 1意虽然将它置为高电平，内部时钟还是在晶振作用下走时的，此时，允许外部读写数据），在每个SCLK上升沿时数据被输入，下降沿时数据被输出，一次只能读写一位，适度还是写需要通过串行输入控制指令来实现（也是一个字节），通过8个脉冲便可读取一个字节从而实现串行输入与输出。最初通过8个时钟周期载入控制字
节到移位寄存器。如果控制指令选择的是单字节模式，连续的8个时钟脉冲可以进行8位数据的写和8位数据的读操作，SCLK时钟的上升沿时，数据被写入DS1302，SCLK脉冲的下降沿读出DS1302的数据。8个脉冲便可读写一个字节。在突发模式，通过连续的脉冲一次性读写完7个字节的时钟/日历寄存器（注意时钟/日历寄存器要读写完），也可以一次性读写8~328位RAM数据（可按实际情况读写一定数量的位，不必全部读写， 两者的区别）。
控制指令：
控制指令（8位）如Figure2所示：
每个字节的传输是有控制字节指定的，控制字节的最高位Bit7必须是‘1’，如果是‘0’，写入将被禁止，因此我们如果将这位置一，可以禁止写入。bit6为‘0’则指定对时钟/日历寄存器控制读写操作，为‘1’则为RAM区数据的控制读写操作，bir1~bit5指定相关寄存器待进行输入输出操作，最低位bit0指定是输入还是输出，为‘0’则为输入，相反则输入有效，输入输出根据脉冲的上升沿和下降沿串行进行（前面已经提到）。
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复位以及时钟控制：
所有的数据传输在
置一时进行（反复强调），
输入信号有两种功能：首先，RST接通控制逻辑，允许
地址/命令序列送入移位寄存器；其次，RST提供终止单字节或多字节数据的传送手段。当RST为高电平时，所有的
数据传送被初始化，允许对DS1302进行操作。如果在传送过程中RST置为低电平，则会终止此次数据传送，I/O引脚变为高阻态。上电运行时，在Vcc≥2.5V之前，RST必须保持低电平。只有在SCLK为低电平时，才能将RST置为高电平。I/O为串行数据输入输出端(双向)，后面有详细说明。SCLK始终是输入端。
数据的传输如下图所示：（注意两种模式）
SINGLE BYTE READ
RSTSCLKI/OSINGLE BYTE WRITERSTSCLKI/OR/W A0 A1 A2 A3 A4 R/C 1D0D1D2D3D4D5D6D7R/W A0 A1 A2 A3 A4 R/C 1In burst mode, RST is kept high and additional SCLK cycles are sent until the end of the burst.
数据输入：
经过8个时钟周期的控制字节的输入，一个字节的输入将在下8个时钟周期的上升沿完成，数据传输从字节最低位开始。
数据输出：
经过8个时钟周期的控制读指令的输入，控制指令串行输入后，一个字节的数据将在下个8个时钟周期的下降沿被输出，注意第一位输出是在最后一位控制指令所在脉冲的下降沿被输出，要求RST保持位高电平。
同理8个时钟周期的控制读指令如果指定的是突发模式，将会在脉冲的上升沿读入数据，下降沿读出数据，突发模式一次可进行多字节数据的一次性读写，只要控制好脉冲就行了。
突发模式：
上面已经提到过的突发模式可以指定为任何时钟/日历或RAM的寄存器，与以前一样，位6指定时钟或RAM，
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位0指定读或写。读取或写入的突发模式开始在位0地址0 。
对于DS1202来说，在突发模式下写时钟寄存器，起始的8个寄存器用来写入相关数据，必须写完。然而，在突发模式下写RAM数据时，没有必要全部写完。每个字节都将被写入而不论31字节是否写完。
时钟/日历：
时钟/日历包含在7个寄存器中，如Figure4所示。数据在时钟/日历寄存器是二进制编码的十进制格式（BCD码 ）。
时钟停止标志：
秒寄存器的bit7是时钟停止标志位，如果这位是‘1’，时钟晶振停止起振，DS1302进入低功耗待命模式，耗用电流小于100 nanoamps，如果这位是‘0’，晶振开始起振。
AM-PM/12-24模式选择：
小时寄存器的bit7是AM-PM/12-24模式选择选择位，这一位为‘1’时，选择了12小时制，为‘0’时，选择了24小时制，在12小时制下，bit为‘1’选择了PM，在24小时制下，bit5选择了20~23小时段。
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写保护位：
控制字节的bit7是写保护位（前面已经提到），低7位（bit0~bit6），被置0，在任何写操作前，bit7都应该置‘0’。
涓流充电寄存器：
该寄存器决定了DS1302的充电特性，结构简图如下图所示，涓流充电选择位为bit4~7，置1010时使涓流充电，其他选择将禁止涓流充电。DS1302刚上电时无涓流充电。二极管选择位diode select（DS）bit2~3，将在Vcc1和Vcc2之间选择1或2个diode ，如果DS是01，只有一个二极管被选择，如果DS四10，将选择两个diode，具体电路如下面图示，如果是00或11，无涓流充电能力。还有电阻选择位RS(bit0~1)将会选择Vcc1和Vcc2之间的电阻，具体如下表：
RS和DS是有外部Vcc1和Vcc2（如超级电容，第一页已经提到）最大充电电流来决定的，其最大充电电流由一下方法计算：例如Vcc2电压为5V，Vcc1连接一个超级电容，假如涓流充电禁止，且VCC1、VCC2之间只有一个二极管和一个电阻R1，则其最大电流为：
显然，超级电容充电时，VCC1、VCC2之间的压降将会减少，其充电电流也将会减少。
时钟/日历突发模式：
由时钟/日历指令字节来指定其突发模式操作。在该模式下，其实的8个时钟/日历寄存器将被连续的读和写，详细见前面表格（“时钟/日历”处），起始与地址0和位0。
如果些保护位被置‘1’，则在突发模式下，无任何字节将会被读写，涓流充电不可以在突发模式下选择。
RAM：
The static RAM is 31 x 8 bytes addressed consecutively in the RAM address space.
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