Xilinx FPGA器件采用台积电16FinFET工艺
佚名
【期刊名称】《《中国集成电路》》 【年(卷),期】2013(022)007
【摘要】赛灵思公司（Xilinx，Inc．）和台积电（TSMC）日前共同宣布联手推动一项赛灵思称之为“FinFast”的专项计划，采用台积电公司先进的16纳米FinFET（16FinFET）工艺打造拥有最快上市、最高性能优势的FPGA器件。双方分别投入所需的资源组成一支专属团队，针对FinFET工艺和赛灵思UltraScaleTM架构进行最优化。基于此项计划，16FinFET测试芯片预计2013年晚些时候推出，而首款产品将于2014年问市。 【总页数】1页(P.15-15)
【关键词】FPGA器件; 台积电公司; Xilinx; 工艺; FinFET; 赛灵思公司; 性能优势; 资源组成 【作者】佚名 【作者单位】不详 【正文语种】中文 【中图分类】TN4 【相关文献】
1.PLD巨头对于采用 300mm晶圆和新工艺制造FPGA 器件存在分歧 [J], 2.Xilinx采用90nm工艺制造FPGA器件 [J],
3.PLD巨头对于采用300mm晶圆和新工艺制造FPGA器件存在分歧 [J], 4.FPGA厂商采用创新工艺技术降低28nm器件功耗 [J], 李明骏
5.提高QFP器件贴装准确率的工艺研究 [J], 周自泉; 高春华
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Xilinx FPGA器件采用台积电16FinFET工艺
XilinxFPGA器件采用台积电16FinFET工艺佚名【期刊名称】《《中国集成电路》》【年(卷),期】2013(022)007【摘要】赛灵思公司（Xilinx，Inc．）和台积电（TSMC）日前共同宣布联手推动一项赛灵思称之为“FinFast”的专项计划，采用台积电公司先进的16纳米FinFET（16FinFET）工艺打造
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