火和正常操作时掌握炉内的反应情况，炉灯是合成炉内产生氯化氢反应燃烧嘴，由同心夹套管构成。它是固定炉底下法兰的部，并与炉体的中心线Cl2H2气管出口在同一水平上，灯头、灯盘均系不锈钢1Cr18Ni9Ti制成。
如图所示，H2自H2缓冲缸?进入合成炉⑹和经过Cl2缓冲缸?的Cl2在灯头⑼上燃烧反应，生成HCl气体由炉顶出口经不锈钢管道流入自来水列管冷却器⒄降温到100℃以下，又使气流中的水份冷却为微量盐酸，气流沿法奥里特管（酚酚石棉耐酸塑料管）入HCl气体缓冲缸⒅，再沿法奥里特管到-15℃列管冷却器⒆，使气体中的水份冷嘲热讽却成少量盐酸，随后经除雾器⒇，除去气流中飘流的盐酸雾滴，最后经蛇型管预热缸，将HCl气经预热后，送至沸腾炉合成出SiHCl3.
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三、氯化氢生产设备|：
氢气缓冲缸：碳钢（A3）制成，主要起缓冲和稳定H2压力和作用。
氯气缓冲缸：用碳钢（A3）制成，主要起稳定氯气压力的作用，也可防止钢瓶中的液氯直接冲入合成炉内的意外情况发生。
氯化氢合成炉：Φ1000×3000㎜锥形炉，由炉体和灯盘组成，由于炉顶受火焰和气流的直接冲击，寿命较短故以法兰盘与炉体相接。
冷却器：不锈钢列管式（外为普通碳钢A3）5.6㎡,用自来水冷嘲热讽却，可起下列作用，除去一小部分产品气体中的水份，避免该部位生成固体氯化物堵塞管道而引起停炉的障碍，降低气流温度至100℃以下，以便减少深冷冻能量的消耗和延长法奥里特管的使用寿命，该管允许温度≤120℃。
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氯化氢缓冲缸：碳钢（A3）4M3，园筒形起稳定HCl压力作用，经空气冷却可放出少量盐酸。
冷凝器：材料和冷却面积和预冷器相同，用-15℃（氯化钙、食盐）水冷却，使气流中的水分冷却生成少量盐酸。
除雾器：Φ150×2000㎜内盛瓷环及聚四氟乙烯切屑。 预热器：四个蛇形管和废料缸改装而成。
鼓风机：点火时使用，型号JO2G-3-35,带电机，风量变9.5M3/分，（鼓风机已用酚醛水力泵代替Φ150㎜）压力为75mmHg柱，功率350W，转速2800转/分，现用水流泵代替。
氯化氢的合成反应是放热反应，因此伴随氯化氢的生成有大量的热放出，使炉内温度不断上升，火焰温度高达一千多度，随着温度的上升，反应速度不断加快，因此必须及时地进行冷却，把合成过程中的热量散发出去，防止反应过于激烈而引起爆炸危险，因而合成炉体的结构必须考虑降温。 四、氯化氢合成的操作和技术条件 1、合成操作 ①点火前的准备：
检查整个系统设备，管道、阀门及村力计、温度计、是否正常，各类阀门必须是灵活好用，系统试压充N2至1.5Kg/cm2,用肥皂水检查接缝处，除氢气管道外其它各部还可通微量Cl2,用氨水检查，更为可靠，若发现漏气现象应及时处理，确保不漏气时方可点火。
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H2系统试压完成后，用H2直接将本系统内的N2或空气冲洗排空一定时间，经分析确定含H2量在98%以上方可准备点火。
Cl2系统检查合格后，将Cl2缓冲缸内充满Cl2（压力在0.9～1.3Kg/㎝2）待用。
点火前将合成炉门打开并缺下点火，侧下方用真空橡皮管与H2管连接的点火下法兰，打开水流泵通入阀门，排除炉内残留气体，用纸置于炉门处检验炉内确是负压，连续排风15 分钟以上，便可开始点火。 ②点火操作：
正式点火之前，通知氢气站正常供应H2，操作者准备好工具及劳保用品后即可点火。点火时将火把用手置于H2进管下法兰嘴处，接着缓慢开H2控制阀，H2自该法兰嘴处喷出着火（带有微弱的炸破声），承即调节H2量使火焰适当后，迅速与点火上法兰对好接上，（这一操作必须带好石棉手套和有机玻璃面罩，并力求稳、准、快、严防火焰外喷），立即适当调节H2量使H2火焰在炉门内燃烧。再打开Cl2阀门，Cl2、H2即在灯头出口反应其燃烧火焰呈蜡柱状时，便可关好炉门停止排风，这种点火方法称为炉外点火。若一次点火不成功，再按以上操作顺序重复进行，初生成的HCl纯度不高，放空至水洗塔排出，紧接着调节Cl2、H2量，使HCl气纯度达到规定指标后，再关放空，开预冷器，HCl气经缓冲缸和除水预热装置，沿管道送至沸腾炉合成SiHCl3。 ③停车操作
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正常停车时，先调节Cl2、H2量，使其成小火焰，然后迅速地关闭Cl2、H2控制阀门，火焰息灭后，把炉内气体，放空至水洗塔吸收排掉，最后关好系统内各种阀门，紧急停车时可迅速关闭Cl2、H2控制阀，再酌情处理。 2、合成技术条件： ① ②
H2、Cl2的使用压力控制在0.8Kg/cm2以下；
H2:Cl2=1.1:1(体积比)，H2稍过量可以使Cl2充分反应防止游离氯产生，在SiHCl3的合成中，游离氯的存在峄硅中某些杂质的氯化有利。
③
纯度要求：H2≥98%，Cl2≥96%,HCl≥96%,HCl中水份≤0.05%～0.1%,游离氯＜0.02%。
④
炉压（HCl压力）＜200mmHg,炉压过高会使合成炉的腐蚀严重。
⑤
合成炉出口温度一般控制在300～450℃之间，温度过高则炉内反应会加剧，有可能产生爆炸危险，而且也会加剧合成炉的腐蚀程度。
§2-3 三氯氢硅的合成
合成三氯氢硅可在沸腾床和固定床两类型设备中进行，与固定床相比，用沸腾床合成三氯氢硅的方法，具有生产能力大，能连续生产，产品中三氯氢硅含量高，成本低以及有利于采用催化反应等优点，因此目前已被国内外广泛采用。
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多晶硅生产工艺学
