内存芯片封装
内存颗粒的封装方式最常见的有SOJ、TSOP II、Tiny-BGA、BLP、uBGA等封 装，而未来趋势则将向CSP发展。
0ViGOUR ▼ VC52440BJ-6 9723 SOJ封装方式是指内存芯片的两边有一排小的J形引脚，直接黏着在印刷电路
板的表面上。它是一种
表面装配的打孔封装技术，针脚的形状就像字母\山此而得名。SOJ封装一 般应用在EDO DRAMo
TinyBGA英文全称为Tiny Ball Grid Array （小型球栅阵列封装），属于是 BGA封装技术的一个分支。是Kingmax公司于1998年8月开发成功的，其芯片面
积与封装面积之比不小于1:1. 14,可以使内存在体积不变的悄况下内存容量提高2 ?3倍，与TS0P封装产品相比，其具有更小的体积、更好的散热性能和电 性能。采用TinyBGA封装技术的内存产品在相同容量1W况下体积只有TS0P封 装的1/3。TS0P封装内存的引脚是山芯片四周引出的，而TinyBGA则是山芯片中心 方向引出。这种方式有效地缩短了信号的传导距离,
信号传输线的长度仅是传统的TS0P技术的1/4,因此信号的衰减也随之减少。 这样不仅大幅提升了芯片的
抗干扰、抗噪性能，而且提高了电性能。采用TinyBGA封装芯片可抗高达
300MHz的外频，而采用传统TSOP封装技术最高只可抗150MHz的外频。TinyBGA封
装的内存其疗度也更薄（封装高度小于0.8mm）,从金属基板到散热体的有效散热 路径仅有0?36mm。因此，TinyBGA内存拥有更高的热传导效率，非常适用于长时
间运行的系统，稳定性极佳。
樵风（ALUKA）金条的内存颗粒采用特殊的BLP封装方式，该封装技术在传统 封装技术的基础上采用一
种逆向电路，山底部直接伸出引脚，其优点就是能节省约90%电路，使封装尺 寸电阻及芯片表面温度大幅
下降。和传统的TSOP封装的内存颗粒相比，其芯片面积与填充装面积之比大 于1： 1.1,明显要小很多，不仅高度和面积极小，而且电气特性得到了进一步的 提高，制造成本也不高，BLP封装与KINGMAX的TINY-BGA封装比较相似，BLP的封 装技术使得电阻值大幅下降，芯片温度也大幅下降，可稳定工作的频率更高。
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SIMM模块包括了一个或多个RAM芯片，这些芯片在一块小的集成电路板上，利
用电路板上的引脚与计
算机的主板相连接。因为用户需要对内存进行扩展，只需要加入一些新的SIMM 就可以了。SIMM根据内存颗粒分布可以分为单面内存和双面内存，一般的容量为
1、4、16MB的SIMM内存都是单面的，更大的容量
的SIMM内存是双面的。30线SIMM内存条出现较早，根据当时的技术需要，只 支持8位的数据传输，如要支持32位就必须要有四条30线SIMM内存条。这种内 存条多用在386或早期的486主板上。72线SIMM内存条可支持32位的数据传 输，在586主板基本上都提供的是72线SIMM内存插槽。需要注意的是，Pentium 处理器的数据传输是64位的，现在采用Intel的Triton或Triton ?芯片组的586 主板需要成对的使用这种内存条：而采用SIS芯片组的586主板山于SIS芯片采用 了一些特殊的技术，能够使用单条的72线内存条。
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DIMM模块是U前最常见的内存模块，它是也可以说是两个SIMM。它是包括有
一个或多个RAM芯片在一个小的集成电路板上，利用这块电路板上的一些引脚可以 直接和il?算机主板相连接。一个DIMM有168引脚，这种内存条支持64位的数据传
输。DIMM是U前我们使用的内存的主要封装形式，比如SDRAM、DDR SDRAM、
RDRAM,其中SDRAM具有168线引脚并且提供了 64bit数据寻址能力。DIMM的工作
电压一般是3. 3v或者5v,
并且分为unbuffered和buffered两种。而SIMM和DIMM内存之间不仅仅是引 脚数U的不同，另外在电气
特性、封装特点上都有明显的差别，特别是它们的芯片之间的差别相当的大。 因为按照原来内存制造方法,
制造这种内存的时候是不需要把64个芯片组装在一起构成一个64bit的模块 的，得益于今年来生产工艺的
提高和改进，现在的高密度DRAM芯片可以具有不止一个Din和Dout信号引 脚，并且可以根据不同的需要
在DRAM芯片上制造4、8、16、32或者64条数据引脚。在Pentium级以上的 处理器是64位总线，使用这样的内存更能发挥处理器的性能。
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内存的集成电路两侧都有引脚，SGRAM内存的集成电路四面都有引脚。TSOP适合用
SMT技术（表面安装技术）在PCB （印制电路板）上安装布线。TSOP封装外形尺寸
内存芯片封装
