[键入文字] §2.3 双极性晶体三极管习题4
§2.3 双极性晶体三极管综合习题1与答案
考核内容
1．掌握三极管的图形符号、文字符号、输入和输出特性。 2．掌握三极管的电流分配关系及放大原理。
12、使三极管起放大作用的外部条件是：发射结加正向偏置电压，集电结加反向偏置电压。
13、三极管的电流分配规律公式 IE = IB ? IC ， 即发射极电流等于基极电流和集电极电流之和。无论是NPN型管还是PNP型管，均符合这一规律。
14、三极管的电流放大作用实质：由于基极电流IB的变化，使集电极电流IC发生更大的变化。也就是说，基极电流IB的微小变化控制了集电极电流IC较大的变化，是“以小控大”的作用。 15、三极管IE电流与IB电流关系： IE = IB ? IC= IB ???IB=（1+?)IB
16、基极电流和集电极电流之比基本为常量，该常量称为共发射极直流放大系数?，定义为：??双极性晶体三极管综合习题1
一、填空题
1、晶体三极管（Transistor）是晶体管电子电路的核心器件，具有电流放大和开关作用。在模拟电子电路中，它起放大作用；在脉冲和数字电路中，它起开关作用，逻辑门电路中的三极管则工作在截止状态和饱和状态。 2、晶体三极管是一个三端器件，根据其构造的不同，大体上可分双极型晶体管 BJT （Bipolar Junction Transistor）和场效应管 FET（Field Effect Transistor）。
3、双极晶体管（BJT）是一种电流控制器件，“双极”的含义是指其工作时电子和空穴这两种载流子都同时参与导电。双极结型晶体管（Bipolar Junction Transistor—BJT）又称为半导体三极管。
4、场效应管（FET）是电压控制型元件，利用场效应原理工作的晶体管，具有输入阻抗高，热稳定性好，抗辐射能力较强，集成度较高特点。
5、场效应晶体管又包含两种主要类型：结型场效应管（Junction FET，缩写为JFET)和金属-氧化物半导体场效应管（Metal-Oxide Semiconductor FET，缩写为MOS-FET）。其中，MOS管还分为增强型和耗尽型两种。与BJT不同的是，FET只由一种载流子（多数载流子）参与导电，因此场效应管也称为单极型晶体管。 *6、场效应晶体管的三个极，分别是源极（Source）、栅极（Gate）和漏极（Drain）。
7、双极晶体管（BJT）是由两个相距很近的PN结，通过一定的工艺制作成的一种半导体器件，即半导体三极管，又称为晶体三极管。
8、晶体三极管两个PN结两个PN结，一个PN结为发射结，另一个PN结为集电结。将发射极与基极之间的PN结称为发射结；集电极与基极之间的PN结称为集电结。
9、晶体三极管两个PN结将整个半导体基片分成三个区域：发射区、基区和集电区，其中基区较薄。由这三个区各引出一个电极，分别称为发射极、（Emitter）、基极(Base) 和集电极（Collector），分别用字母E、B、C表示。 10、晶体三极管按导电类型的不同，三极管可分为PNP型和NPN型两大类。有箭头的电极是发射极，箭头方向表示发射结正向偏置时的电流方向，箭头方向向外是 NPN型，箭头方向向内是 PNP型，两种符号的区别在于发射极的箭头方向不同，实际上发射极箭头方向就是发射极正向电流 的真实方向。
11、晶体三极管BJT种类很多，按照频率分，有高频管，低频晶体管，按照功率分，有小、中、大功率晶体管，按照半导体材料分，有硅管和锗晶体管等。
1
IC IB17、基极电流有微小的变化量ΔiB，集电极电流就会产生较大的变化量ΔiC，且电流变化量之比也基本为常量，该常量称为共发射交流放大系数β，定义为：???iC ΔiB18、已知工作在放大区的某三极管，如果当IB 从12 uA 增大到22 uA 时，IC 从lmA 变为2mA ，那么它的β约
???IC2?11???100 ?IB0.22?0.120.119、NPN三极管中，电流IB、IC流入三极管，电流IE流出三极管； 20、PNP三极管中，电流 IE流入三极管，电流IB、IC流出三极管。 21、共发射极电路基极为输入端，集电极为输出端。发射极作为公共端 22、共基极电路发射极为输入端，集电极为输出端，基极为公共端。 23、共集电极电路基极为输入端，发射极为输出端。集电极为公共端
24、根据三极管放大电路输入回路与输出回路公共端的不同，可将三极管放大电路分为共发射极，共基极，共集电极三种电路。 25、在三极管放大电路中，应保证发射结 正向 偏置，而集电结 反向 偏置。
26、晶体三极管有三个区：发射区、基区、集电区；两个PN结：发射结(BE结)、集电结(BC结)；三个电极：发
射极e(E)、基极b(B)和集电极c(C)。
27、三极管的电流放大作用，指的是用较小的___IB____的变化，从而得到较大的集电极电流的变化。 28、三极管的特性曲线主要有输入特性曲线和 输出特性 曲线两种。
29、三极管输入特性曲线指三极管集电极与发射极间所加电压VCE一定时，IB与 UBE 之间的关系。 30、晶体管共发射极输出特性常用一族曲线表示，其中每一条曲线对应一个特定的 IB 。
31、三极管工作于饱和区时，其外部条件是发射结正偏 ，集电缜正偏 。 32、三极管工作于放大区时，其外部条件是发射结正偏 ，集电结反偏 。 33、三极管处于截止区时，其外部条件发射结反偏 ，集电结反偏 。 34、特征频率fT是指 ?值下降到1的信号频率。
35、当IC过大时，电流放大系数 ? 将下降。在技术上规定，使 ? 下降到正常值的2/3时的集电极电流称集电极最大允许电流。
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A、iC B、uCE C、iB D、iE
（ B ）17、用直流电压表测得放大电路中某晶体管电极1、2、3的电位各为V1=2V，V2=6V，V3=2.7V，则 。
A、1为e 2为b 3为c B、1为e 3为b 2为c C、2为e 1为b 3为c D、3为e 1为b 2为c
（ A ）18、三极管工作于饱和区时，其外部条件是( )答案：A
A 发射结正偏，集电缜正偏 B．发射结正偏，集电结反偏 C 发射结反偏，集电结反偏 D．发射结反偏，集电结正偏
（ C ）19、工作在放大区的某三极管，如果当IB 从12 uA 增大到22 uA 时，IC 从lmA 变为2mA ，那么它的β约为( C ) 。
A.83 B.91 C.100 D．120
（ B ）20、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 。
A.前者反偏、后者也反偏 B.前者正偏、后者反偏 C.前者正偏、后者也正偏 D.前者反偏、后者正偏 （ A ）21、某单管共射放大电路在处于放大状态时，三个电极A、B、C对地的电位分别是则此三极管一定是（A）
A.PNP硅管
B.NPN硅管 C.PNP锗管
D.NPN锗管
=2.3V，=2V，=12V，=2.3V，=3V，=0V，
二、选择题
1、三极管具有放大( )作用。答案：B
A． 电压 B．电流 C．功率 D．电位 2、三极管工作于放大区时，其外部条件是( )答案：B
A．发射结正偏，集电缜正偏 B．发射结正偏，集电结反偏 B． 发射结反偏，集电结反偏 D．发射结反偏，集电结正偏
3、三极管工作于放大区时，集电极电流IC受( )控制，与VBE几乎无关．答案：D A． RB B．VCE C．RC D．IB 4、三极管的电流分配规律是( )。答案： B A． IB = IE ? IC B．IE = IB + IC C． IC = IB + IE D．IE =IB ? IC
5、NPN型三极管和PNP型三极管的区别是_____。答案：C
A． 由两种不同材料硅和锗制成 B． 掺入的杂质元素不同 C． P区和N区的位置不同
6 、PNP型三极管实现放大作用时，三极电位之间的关系是____。答案：A
A．VE>VB>VC B．Vc 7、某NPN型三极管VB = 4.7 V，VC = 4.3 V，VE = 4 V，此三极管处于( )状态？答案：A A．饱和 B．放大 C．截止 8、某NPN型三极管VB = 2.7 V，VC = 10 V，VE =2.0 V，此三极管处于( )状态？答案：B A．饱和 B．放大 C．截止 9、某NPN型三极管VB =1.3 V，VC = 5 V，VE = 1.6 V，此三极管处于( )状态？答案：C A．饱和 B．放大 C．截止 10、如果三极管工作在截止区，两个PN结状态 。答案：B A．均为正偏 B．均为反偏 C．发射结正偏，集电结反偏 D．发射结反偏，集电结正偏 11 、NNP型三极管实现放大作用时，三极电位之间的关系是____。答案：B A．VE>VB>VC B．VE （ A ）12、某晶体管的发射极电流等于1mA，基极电流等于20μA，则它的集电极电流等于( ) A、0.98 mA B、1.02 mA C、0.8 mA D、1.2 mA （ A ）13、对放大电路中的三极管进行测量，各极对地电压分别为UB=2.7V，UE=2V，UC=9V，则该管工作在 。 A、放大区 B、饱和区 C、截止区 D、无法确定 （ A ）14、某单管共射放大电路在处于放大状态时，电位分别是UB=8.3V，UE =9V，UC=2V，则此三极管一定是 。 A、PNP硅管 B、NPN硅管 C、PNP锗管 D、NPN锗管 （ B ）15、测得三极管IB1=30μA时，IC 1= 2.4mA ；IB2=40μA时，IC 2= 3 mA，则该管的交流电流放大系数为 。 A、80 B、60 C、75 D、100 （D ）22、某单管共射放大电路在处于放大状态时，三个电极A、B、C对地的电位分别是则此三极管一定是（D ） A.PNP硅管 B.NPN硅管 C.PNP锗管 D.NPN锗管 三、综合题 1、下图所示为三极管的输出特性，求：该三极管在UCE=6V，IB =20μA附近的 ?和β值。 UCE/V 解：在图示的输出特性曲线上作UCE=6V的垂线， IB1 =20μA的输出特性曲线，由此可得该点对应的IC1 =2 mA， IC2.0?103??100 直流放大倍数 ??IB20 IB1=20μA时，IC 1= 2mA ；IB2=30μA时，IC 2= 3 mA， ?iC= IC 2- IC 1=3-2 mA，?iB = IB 2- IB1=30-20μA （ C ）16、晶体管共发射极输出特性常用一族曲线表示，其中每一条曲线对应一个特定的 。 2 [键入文字] §2.3 双极性晶体三极管习题4 ?iC(3.0?2.0)?103交流放大倍数 ????100 ?iB30?202、【教材P42-4】图2.28给出了小功率NPN型硅高频三极管3DG4的输出特性曲线。试求Q1点和Q2点处的共射极直流 电流放大系数?Q1和?Q2，'并求Q1、Q2点附近的共射极交流电流放大系数?。 直流放大倍数 ?IC18mAIC30mAQ1?I?.4mA?45 ?Q2?I?mA?50 B0B0.6交流放大倍数 ???iC?i?30?18?60 B0.6?0.43．判别三极管的工作状态 (1) VE = -1.0 V， VB = - 1.3 V，VC = -6V， 发射结正偏VE ＞VB， U EB=-1.0-(- 1.3 ) =0.3 ； 集电结反偏VB ＞VC，U BC ：- 1.3＞-6VC＜VB＜VE 发射结正偏，集电结反偏，，工作状态是：放大 （2）VE = 1.5V ，VB= 1.2 V，VC =1.3V，； 发射结正偏VE ＞VB， U EB=1.5-1.2=0.3； 集电结正偏VC ＞VB ， 发射结正偏，集电结正偏 工作状态是：饱和 （3）VE =-1.2 V , VB =-1.0 V，VC =-6V，； 发射结反偏VE ＜VB， U EB=-1.2-(-1.0)=-0.2； 发射结反偏，集电结反偏，，工作状态是：截止 4．判别三极管的工作状态 （1）VB = -6.3 V，VC =-1 V，VE =-7.0 V； 发射结正偏VB＞VE ，UB E=-6.3-(-7)=0.7； 集电结反偏VC＞VB ，U CB ： -1＞-6.3， -1>-6.3>-7，VC＞VB＞VE 发射结正偏，集电结反偏，工作状态是：放大 （2）VB= -5.3 V，VC =-5.7V， VE = -6V； 发射结正偏VB＞VE，UB E=-5.3-(-6)=0.7 集电结正偏VB＞VC ，UB C =-5.3-(-5.7) =0.4， 发射结正偏，集电结正偏 工作状态是：饱和 （3）VB =-9 V，VC = -6V，VE =-7 V； 发射结反偏VB＜VE ，UB E：-9＜-7 发射结反偏，集电结反偏，工作状态是：截止 5、工作放大状态三极管两个电极的电流如图。 求： （1）另一个电极的电流，并标出电流方向，放大倍数。 （2）判断是NPN型，还是PNP型。 解：IC =4.0mA, IB=0.05 mA IE = IB ? IC IE = IB ? IC =4.0mA-0.05 mA=4.05mA NPN型 直流放大系数 ??ICI?4.05?80 B06、某放大电路中BJT三个电极的电流如图所示。 IA＝-2mA,IB＝-0.04mA,IC＝+2.04mA,试判断管脚、管型。 解：电流判断法。 3 [键入文字] §2.3 双极性晶体三极管习题4 电流的正方向和KCL。IE=IB+ IC C为发射极 B为基极 A为集电极。 管型为NPN管。 7、工作放大状态三极管两个电极的电流如图。 求： （1）另一个电极的电流，并标出电流方向，放大倍数。 （2）判断是NPN型，还是PNP型。 （1）VE = 1.0 V， VB = 1.7 V，VC = 9.4 V， 发射结反偏VE ＜VB， U EB：1.0＜1.7 ； 发射结反偏，集电结反偏，，工作状态是：截止 （2）VE = 1.7V ，VB= 1.0 V，VC =1.4V； 发射结正偏VE ＞VB， U EB=1.7-1.0=0.7； 集电结正偏VC ＞VB ，U C B =1.4-1.0=0.4， 发射结正偏，集电结正偏 工作状态是：饱和 （3）VE = 9.0 V , VB = 8.3 V，VC =2.0V； 发射结正偏VE ＞VB， U EB=9.0-8.3=0.7 ； 10、测得工作在放大电路中几个晶体管三个电极的电位U1、U2、U3分别为： （1）U1=3.5V、U2=2.8V、 U3=12V （2）U1=3V、 U2=2.8V、 U3=12V （3）U1=6V、 U2=11.3V、 U3=12V （4）U1=6V、 U2=11.8V、 U3=12V 判断它们是NPN型还是PNP型？是硅管还是锗管？并确定e、b、c。 解答： （1）12＞3.5 ＞2.8 ， U1 b、 U2 e、 U3 c NPN 硅 （2）12＞3.0 ＞2.8 ， U1 b、 U2 e、 U3 c NPN 锗 （3）12＞11.3 ＞6.0， U1 c、 U2 b、 U3 e PNP 硅 （4）12＞11.8 ＞6.0， U1 c、 U2 b、 U3 e PNP 锗 11、测得放大电路中的3个晶体管的直流电位如图所示。在圆圈中画出管子，并说明它们是硅管还是锗管。 解：IE =2.02mA, IC =2.0 mA IE = IB ? IC IB =2.02mA - 2.0 mA=0.02 mA PNP型 直流放大系数 ??IC2??100 IB0.028、测量某NPN型BJT各电极对地的电压值如下，判别管子工作在什么区域？ （1） VC ＝6V VB ＝0.7V VE ＝0V （2） VC ＝6V VB ＝4V VE ＝4.6V （3） VC ＝3.6V VB ＝4V VE ＝3.3V 解答：对NPN管而言，放大时VC ＞ VB ＞ VE （1）放大区，发射结正偏VB＞VE，0.7V＞0V；集电结反偏VC＞VB，6V ＞0.7V （2）截止区，发射结反偏VB＜VE，4V＜4.6V；集电结反偏VC＞VB，6V＞4V （3）饱和区，发射结正偏VB＞VE，4V＞3.3V；集电结正偏VB＞VC，4V＞3.6V 9、测量一只 PNP型晶体管在工作时电极间的直流电压分别为下列三种情况，判别晶体管分别工作在什么状态？ （1）VE = 1.0 V， VB = 1.7 V，VC = 9.4 V； （2）VE = 1.7V ，VB= 1.0 V，VC =1.4V； （3）VE = 9.0 V , VB = 8.3 V，VC =2.0V； 4 解: （1） 12>11.3>0，中间为基极；发射结UEB =12-11.3=0.7，硅管；VE＞VB＞VC，PNP型三极管。 PNP型三极管发射极箭头向内。 （2） 12>3.7>3，中间为基极；发射结UBE =3.7-3.0=0.7，硅管；VC＞VB＞VE， NPN型三极管。 （3） 15>12.7>12，中间为基极；发射结UBE =12.7-12.0=0.7，硅管；VC＞VB＞VE， NPN型三极管。 [键入文字] 12、测得放大电路中的3个晶体管的直流电位如图所示。在圆圈中画出管子，并说明它们是硅管还是锗管。 解: （4） 12.2>12>0，中间为基极；发射结UEB =12.2-12=0.2，锗管；VE＞VB＞VC，PNP型三极管。 （5） 15>14.8>12，中间为基极；发射结UEB =15-14.8=0.2，锗管；VE＞VB＞VC，PNP型三极管。 （6） 15>12>11.8，中间为基极；发射结UBE =12-11.8=0.2，锗管；VC＞VB＞VE， NPN型三极管。 13. 填表分析NPN型与PNP型三三极管偏置电压的特点与工作状态。 三极管偏置电压的特点与工作状态表 工作条件 \\ 状态 截 止 放 大 饱 和 提供直流偏置工发射结零偏或反偏 发射结正偏， 发射结正偏， 作条件 集电结反偏 集电结反偏 集电结正偏 发射结正偏：VB＞VE NPN型三极管 发射结反偏： 集电结反偏：VC＞VB 发射结正偏：VB＞VE， VB≤VE 电位关系：VC＞VB＞VE 集电结正偏：VB＞VC 发射结正偏：VE＞VB PNP型三极管 发射结反偏： 集电结反偏：VB＞VC 发射结正偏：VE＞VB， VE ≤VB 电位关系：VE＞VB＞VC 集电结正偏：VC＞VB §2.3 双极性晶体三极管习题4 14、三极管各极对公共端电位如图所示，判别三极管的工作状态。 (1) (2) (3) (4) 解： (1) VC =12V, VB=-0.1V, VE =0V， UBE =-0.1-0=-0.1＜0，则发射结反偏，三极管截止。 (2) VC =5V, VB=0.5V, VE =0.2V ；UBE =0.5-0.2=0.3，NPN锗，发射结正偏；VC>VB，集电结反偏，三极管放大。 (3) VC =2V, VB=-2.3V, VE =-3V ；UBE = -2.3-（-3）=0.7，NPN硅，发射结正偏；VC>VB，集电结反偏，三极管放大。 (4) VC =3.3V, VB=3.7V, VE =3V ；UBE =3.7-3=0.7，NPN硅，发射结正偏； UBC =3.7-3.3=0.4，VB＞VC，集电结正偏，三极管饱和。 15、已知一放大电路中某三极管的三个管脚电位分别为①3.5V，②2.8 V，③5V，试判断： a．①脚是 B ，②脚是 E ，③脚是 C （e, b，c）； b．管型是 NPN （NPN，PNP）； c．材料是 硅 （硅，锗）。 *16、分别判断图所示各电路中晶体管是否有可能工作在放大状态。 （1） （2） （3） 解答：NPN型三极管放大作用外部条件： 发射结加正向偏置电压为：VB＞VE； 集电结加反向偏置电压为： VC>VB。 NPN型管电位关系应为VC>VB>VE。 （1）由题已知条件得出，UB E＞0，则发射结正偏，VC>VB，集电结反偏，VC>VB>VE， NPN型晶体管可能工作在放大状态。 （2）由题已知条件得出，UB E＜0，则发射结反偏，截止。 5
§2.3 双极性晶体三极管综合习题1与参考答案-2024-6-10
