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研发PCB工艺设计规范

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≥6.0mm L A A H H≥L+6.0mm A A A A 图 63 :辅助边上基准点的位置要求 采用镜像对称拼版时,辅助边上的基准点需要满足翻转后重合的要求。 12.3.2 单元板的基准点 [101] 基准点数量为3个,在板边呈“L”形分布,个基准点之间的距离尽量远。基准点中心距离板边必须大于6.0mm,如不能保证四个边都满足,则至少保证传送边满足要求。 12.3.3 局部基准点 [102] 引脚间距小于≤0.4mm的翼形引脚封装器件和引脚间距≤0.8mm的面阵列封装器件等需要放置局部基准点。 局部基准点数量为2个,在以元件中心为原点时,要求两个基准点中心对称。 Y B O MARK点A与BX 相对 A 图 64 :局部Mark点相对于器件中心点中心对称 15 表面处理 13.1 热风整平 13.1.1 工艺要求 [103] 该工艺是在PCB最终裸露金属表面覆盖的锡银铜合金。热风整平锡银铜合金镀层的厚度要求为1um至25um。 13.1.2 使用范围 [104] 热风整平工艺对于控制镀层的厚度和焊盘图形较为困难,不推荐使用有细间距元件的PCB。原因是

细间距元器件对焊盘平整度要求高;热风整平工艺的热冲击可能会导致PCB翘曲,厚度小于0.7mm的超薄PCB不推荐使用该表面处理方式。 13.2 化学镍金 13.2.1 工艺要求 [105] 化学镍金系化镍浸金的简称,PCB铜金属面采用的非电解镍层镀层为2.5um-5.0um,浸金(99.9%的纯金)层的厚度为0.08um-0.23um。 13.2.2 使用范围 [106] 因能提供较为平整的表面,此工艺适用于细间距元件的PCB。 13.3 有机可焊性保护膜 [107] 英文缩写为OSP,此工艺是指在裸露的PCB铜表面用特定的有机物进行表面的覆盖,目前唯一 推荐的该有机保护层为Enthone's Entek Plus Cu-106A,其厚度要求为0.2um-0.5um,因其能提供非常平整的PCB表面,尤其适合于细间距元件的PCB。 15 输出文件的工艺要求 14.1 装配图要求 [108] 要求有板名、版本号、拼版方式说明、版本信息。 14.2 钢网图要求 [109] 要求有板名、版本号说明。 14.3 钻孔图内容要求 [110] 板名、版本号、板材、表面处理方式、板厚、层数、层间排布、孔径、孔的属性、尺寸及其公差,以及其它特殊要求说明。 15 附录 15.1 “PCBA四种主流工艺方式” ? 单面贴装 图 65 :单面贴装示意图 ? 单面混装 图 66 :单面混装示意图 ? 双面贴装

图 67 :双面贴装示意图 ? 常规波峰焊双面混装 图 68 :常见波峰焊双面混装示意图 您好,欢迎您阅读我的文章,本WOR文档可编辑修改,也可以直接打印。阅读过后,希望您提出保贵的意见或建议。阅读和学习是一种非常好的习惯,坚持下去,让我们共同进步。

研发PCB工艺设计规范

≥6.0mmLAAHH≥L+6.0mmAAAA图63:辅助边上基准点的位置要求采用镜像对称拼版时,辅助边上的基准点需要满足翻转后重合的要求。12.3.2单元板的基准点[101]基准点数量为3个,在板边呈“L”形分布,个基准点之间的距离尽量远。基准点中心距离板边必须大于6.0mm,如不能保证四个边都满足,则至少保证传送边满足要
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