PIN CONFIGURATIONS
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (1)
Supply Voltage, V+ to V-...............................................7.0V Input Terminals, Voltage (2) …………... – 0.5 to (V+) + 0.5V Current (2)…………..……....…..... ±10mA Storage Temperature ……….…………… ?65°C to +150°C Operating Temperature ……….………… ?40°C to +125°C Junction Temperature................................................150°C Package Thermal Resistance @ TA = +25°C SOT23-5, SOT23-6………………….………………200°C/W MSOP-10, SOIC-8 …………………….…………... 150°C/W SOIC-14, TSSOP-14………….……….……………100°C/W Lead Temperature (Soldering, 10s) ……………........260°C ESD Susceptibility
HBM …......................................................................5000V MM ……………………….........………………...……….400V
(1) Stresses above these ratings may cause permanent damage. Exposure to absolute maximum conditions for extended periods may degrade device reliability. These are stress ratings only, and functional operation of the device at these or any other conditions beyond those specified is not implied.
(2) Input terminals are diode-clamped to the power-supply rails. Input signals that can swing more than 0.5V beyond the supply rails should be current-limited to 10mA or less.
ESD SENSITIVITY CAUTION
ESD损坏的范围可能从轻微的性能下降到完全的设备
故障。 精密集成电路可能更容易受到损坏，因为很小的参数变化可能会导致器件不符合其公布的规格。
PACKAGE/ORDERING INFORMATION
°C °C °C °C °C °C °C °C
°C °C °C °C °C °C °C °C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Boldface limits apply over the specified temperature range, TA = –40°C to +125°C.
(At TA = +250C, Vs=5V, RL = 10kΩ connected to VS/2, and VOUT = VS/2, unless otherwise noted.)
TYPICAL CHARACTERISTICS
At TA = +25C, Vs=5V, RL = 10kΩ connected to VS/2, VOUT = VS/2, unless otherwise noted.
OFFSET VOLTAGE PRODUCTION DISTRIBUTION
-4
-3 -2 -1 0 1 2 3
Offset Voltage (uV)
OPEN?LOOP GAIN AND PHASE vs FREQUENCY
140 120 Gain 130 Phase
110
100 90 80 70 60 40 50 20
30 0
10
-20
-10 10
1K
Frequency(Hz)
100K
10M
POWER?SUPPLY REJECTION RATIO vs
140 FREQUENCY
120 100 80 60 40 20
0 100
1K
10K
100K
1M
10M
Frequency(Hz)
OFFSET VOLTAGE DRIFT PRODUCTION
6 DISTRIBUTION
5 4 3 2 1 0
-6 -5 -4 -3 -2 -1 0 1 2 3 4 5 6
Input Offset Drift (nV/℃)
INPUT BIAS CURRENT vs TEMPERATURE
10K
1K
100
10
-40 -20 0
20 40 60 80 100 120 140
Temperature(℃)
COMMON?MODE REJECTION RATIO vs
140 FREQUENCY
120 100 80 60 40 20
0 100
1K
Frequency(Hz)
10K 100K 1M 10M
TYPICAL CHARACTERISTICS
At TA = +25
C, Vs=5V, RL = 10kΩ connected to VS/2, VOUT = VS/2, unless otherwise noted.
QUIESCENT CURRENT vs TEMPERATURE 660 650 640 630 620 610 600
-40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140
Temperature(℃) Vs=5V SOURCE CURRENT vs TEMPERATURE
70 65 60
55
50 45
40
-40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140
Temperature(℃)
SMALL?SIGNAL STEP RESPONSE
CL=100PF
QUIESCENT CURRENT vs TEMPERATURE
660
650 640 630 620 610
-40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140
Temperature(℃) Vs=2.7V
SINK CURRENT vs TEMPERATURE
70 65 60
55
50
45 40
-40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140
Temperature(℃) LARGE?SIGNAL STEP RESPONSE CL=100PF
200ns/div 1us/div
TYPICAL CHARACTERISTICS
At TA = +25
C, Vs=5V, RL = 10kΩ connected to VS/2, VOUT = VS/2, unless otherwise noted.
POSITIVE OVERVOLTAGE RECOVERY
0V
VIN
V
OUT
VS=±2.5V 0V
G=-100
200ns/DIV
0.01Hz TO 10Hz NOISE AT Vs=5V
10s/div
0.01Hz TO 1Hz NOISE AT Vs=5V
10s/div NEGATIVE OVERVOLTAGE RECOVERY
VIN
0V
VS=±2.5V 0V G=-100
VOUT
200ns/DIV
0.01Hz TO 10Hz NOISE AT Vs=2.7V
10s/div
0.01Hz TO 1Hz NOISE AT Vs=2.7V
10s/div
APPLICATION NOTES
RS8551，RS8552，RS8553，RS8554系列运算放大器具有单位增益稳定的特性，并且不会出现意料之外的输出相位反转。他们使用自动归零技术来提供低失调电压，以及随时间和温度的极低漂移。良好的布局习惯要求在电源引脚之间紧密放置一个0.1μF的电容器。
为了获得最低的失调电压和精确性能，应优化电路布局和机械条件。避免温度梯度在连接不同导体形成的热电偶结中产生热电（塞贝克）效应。通过确保两个输入端子上的热量相等，可以消除这些热量。 ?使用低热电系数的连接（避免使用不同的金属）。 ?将组件与电源或其他热源热隔离。
?保护运算放大器和输入电路免受气流（例如冷却风扇）的影响。
遵循这些准则将减少结在不同温度下发生的可能性，这可能会导致0.1μV /°C或更高的热电电压，具体取决于所使用的材料。
OPERATING VOLTAGE
RS8551，RS8552，RS8553，RS8554系列运算放大器的工作电源范围为+ 2.7V至+ 5.5V（±1.35V至±2.75V）。 高于7V（绝对最大值）的电源电压可能会永久损坏放大器。 随电源电压或温度变化的参数在此数据表的“典型特性”部分中显示。
RS8553 ENABLE FUNCTION
使能/关断数字输入参考放大器的V–电源电压。 逻辑高电平使能运算放大器。 有效逻辑高定义为总电源电压的> 75％。 有效逻辑高电平信号可以高于负电源电压高达5.5V，与正电源电压无关。 有效逻辑低电平定义为V–电源引脚上方<0.8V。 如果使用双电源或分离电源，请确保逻辑输入信号正确参考负电源电压。 使能引脚必须连接到有效的高电压或低电压，或者被驱动而不是开路。
逻辑输入是高阻抗CMOS输入，在双版本上提供了单独的逻辑输入。 对于电池供电的应用，此功能可用于大大降低平均电流并延长电池寿命。
使能时间包括放大器返回VOS精度所需的一个完整的自动调零周期。 在此之前，放大器正常工作，但具有未指定的失调电压。
禁用时间为1μs。 禁用时，输出呈现高阻抗状态。 这使RS8553可以用作门控放大器，也可以将输出复用到公共模拟输出总线上。
LAYOUT GUIDELINES
始终建议注意良好的布局做法。 保持简短。 如果可能，请使用PCB接地平面，并将表面安装元件放置在尽可能靠近器件引脚的位置。 在电源引脚之间紧密放置一个0.1pF电容器。 这些准则应适用于整个模拟电路，以改善性能并提供诸如降低EMI（电磁干扰）敏感性的好处。
Figure 1. The Layout of Guard Ring
PACKAGE OUTLINE DIMENSIONS
SOT23-5
D
1.90
b
E1 E
0.99
0.69
e
e1
0.95
RECOMMENDED LAND PATTERN (Unit: mm)
0.2
A A2
θ
c
L
A1
Symbol A A1 A2 b c D E E1 e e1 L
Dimensions In Millimeters Min 1.050 0.000 1.050 0.300 0.100 2.820 1.500 2.650
0.950(BSC) 1.800 0.300
2.000 0.600 Max 1.250 0.100 1.150 0.500 0.200 3.020 1.700 2.950
Dimensions In Inches Min 0.041 0.000 0.041 0.012 0.004 0.111 0.059 0.104
0.037(BSC) 0.071 0.012
0.079 0.024 Max 0.049 0.004 0.045 0.020 0.008 0.119 0.067 0.116
θ 0° 8° 0° 8°
MSOP-8
b
e
E E1
1.02
D
0.41
4.8
0.65
RECOMMENDED LAND PATTERN (Unit: mm)
A2 A1
A
c L
θ
Symbol A A1 A2 b c D e E E1 L θ
Dimensions In Millimeters Min 0.820 0.020 0.750 0.250 0.090 2.900
0.650(BSC) 2.900 4.750 0.400 0°
3.100 5.050 0.800 6° Max 1.100 0.150 0.950 0.380 0.230 3.100
Dimensions In Inches Min 0.032 0.001 0.030 0.010 0.004 0.114
0.026(BSC) 0.114 0.187 0.016
0°
0.122 0.199 0.031
6°Max 0.043 0.006 0.037 0.015 0.009 0.122
MSOP-10
b
e
E E1 4.65
D
1.02 0.31
0.5
RECOMMENDED LAND PATTERN (Unit: mm)
A2 A1
A
c L
θ
Symbol A A1 A2 b c D e E E1 L θ
Dimensions In Millimeters Min 0.820 0.020 0.750 0.180 0.090 2.900
0.50(BSC)
2.900 4.750 0.400 0°
3.100 5.050 0.800 6° Max 1.100 0.150 0.950 0.280 0.230 3.100
Dimensions In Inches Min 0.032 0.001 0.030 0.007 0.004 0.114
0.020(BSC) 0.114 0.187 0.016
0°
0.122 0.199 0.031
6°Max 0.043 0.006 0.037 0.011 0.009 0.122
TSSOP-14
e b
E1 E
5.6
1.78
D
0.65
0.42 RECOMMENDED LAND PATTERN (Unit: mm)
A2 A1
A
C
θH
L
Symbol A A1 A2 b c D E E1 e L
Dimensions In Millimeters Min
Max 1.200
0.050 0.800 0.190 0.090 4.860 4.300 6.250
0.650(BSC) 0.500
0.700 0.150 1.050 0.300 0.200 5.100 4.500 6.550
Dimensions In Inches Min
Max 0.047
0.002 0.031 0.007 0.004 0.191 0.169 0.246
0.026(BSC) 0.020
0.028 0.006 0.041 0.012 0.008 0.201 0.177 0.258
H θ
1°
0.25(TYP)
7°
1°
0.01(TYP)
7°
SOIC-8(SOP8)
e
b
E E1
5.2
2.2
D
1.27
0.6
RECOMMENDED LAND PATTERN (Unit: mm)
A2 A1
A
c
L θ
Symbol A A1 A2 b c D e E E1
Dimensions In Millimeters Min 1.350 0.100 1.350 0.330 0.170 4.800
1.270(BSC) 5.800 3.800
6.200 4.000 Max 1.750 0.250 1.550 0.510 0.250 5.000
Dimensions In Inches Min 0.053 0.004 0.053 0.013 0.007 0.189
0.050(BSC) 0.228 0.150
0.244 0.157 Max 0.069 0.010 0.061 0.020 0.010 0.197
L θ
0.400 0°
1.270 8°
0.016
0°
0.050
8°
SOIC-14(SOP14)
e
b
E E1
5.2 1.27
D
1.27
RECOMMENDED LAND PATTERN (Unit: mm)
0.6
A2 A1
A
c θ
L
Symbol A A1 A2 b c D
Dimensions In Millimeters Min 1.350 0.100 1.350 0.310 0.100 8.450
Max 1.750 0.250 1.550 0.510 0.250 8.850
Dimensions In Inches Min 0.053 0.004 0.053 0.012 0.004 0.333
Max 0.069 0.010 0.061 0.020 0.010 0.348
e E E1 L θ
5.800 3.800 0.400 0°
1.270(BSC)
6.200 4.000 1.270 8°
0.228 0.150 0.016
0.050(BSC)
0.244 0.157 0.050
8°
0°
以上是“奥伟斯科技”分享的产品信息，如果您需要订购此款物料，请查看我
们的官网与我们联系，非常感谢您的关注与支持！奥伟斯科技提供专业的智能电子锁触摸解决方案,并提供电子锁整套的芯片配套:低功耗触摸芯片、低功耗单片机、马达驱动芯片、显示驱动芯片、刷卡芯片、时针芯片、存储芯片、语音芯片、低压MOS管、TVS二极管；润石运算放大器RS8551 RS8551XF RS8551XK RS8551XM RS8552 RS8552XK RS8552XM；TI高压三端稳压器:LM2575HVSX-12 LM2575HVS-ADJ LM2575HVT-5.0 LM2575HVT-ADJ;AUK畅销型号：KMK1350F、SMK1350F、FQPF13N50C、13N50、KMK830F、SMK830F、IRF830PBF、KMK0870F、SMK0870F、8N70、KC5344SCY、2SC5344SY、KA1981SY、2SA1981SY、2SA1981S-Y SRC1203S、KRC1203S、KC5344SCY、2SC5344SY、2SC5344S-Y、STB1132Y、STB1132-Y STD1664Y、STD1664-Y、SBT2222A、KBT2222AC、SBT2907A、KBT2907AC、STB3904CPF、SBT3906CPF、SDS2838、SDS511C、SDS7000、SDS7000F、SBT3906 、SMK0460D、SMK0270I、 SMK0260I、SMK0260F、SMK0460F、SMK0260F、SMK0870F、SMK830F、SMK1350F、SMK0780F、SMK730F、中微爱芯遥控编码芯片、可编程遥控编码芯片 AIP4910 AIP4911 AIP4901 AIP4902 AIP4903 AIP4904 CD6220 CD6221 CD6222 AIP6920 AIP6921 AIP6922 AIP2240；优势产品未尽详细，欢迎查询！
RS8551 RS8552 RUNIC润石精密运算放大器 - 图文
