全方位离子注入及增强沉积工业机和应用

全方位离子注入及增强沉积工业机和应用

作者：童洪辉;陈庆川;霍岩峰;王珂;穆莉兰;冯铁民;赵军;严兵;耿漫

作者机构：核工业西南物理研究院,成都,610041;核工业西南物理研究院,成都,610041;核工业西南物理研究院,成都,610041;核工业西南物理研究院,成都,610041;核工业西南物理研究院,成都,610041;核工业西南物理研究院,成都,610041;核工业西南物理研究院,成都,610041;核工业西南物理研究院,成都,610041;核工业西南物理研究院,成都,610041 来源：核技术 ISSN：0253-3219 年：2002 卷：025 期：009 页码：684-689 页数：6

中图分类：TG174 正文语种：chi

关键词：全方位离子注入;增强沉积;金属等离子体源;材料表面改性

摘要：报道了等离子体源离子注入(PSII)或等离子体浸没离子注入(PIII)及增强沉积工业机的实验结果及应用.该机真空室直径900mm, 高1050mm, 立式放置, 抽气系统由分子泵及机械泵构成并且实现了PLC控制, 本底真空小于4×10-4Pa.等离子体由热阴极放电或三个高效磁过滤式金属等离子体源产生, 因此可实现全方位离子注入或增强沉积成膜.该机的负高压脉冲最高幅值为80kV, 最大脉冲电流为60A, 重复频率为50-500Hz, 脉冲上升沿小于2μs, 并且可根据需要产生脉冲串.其等离子体密度约为108-1010*cm-3, 膜沉积速率为0.1-0.5nm/s.