张兴柱之MOSFET分析 

功率MOSFET的正向导通等效电路

功率MOSFET的正向导通等效电路

张兴柱 博士

（1）：等效电路 DGSDSRds(on) （2）：说明： 功率MOSFET正向导通时可用一电阻等效，该电阻与温度有关，温度升高，该电阻变大；它还与门极驱动电压的大小有关，驱动电压升高，该电阻变小。详细的关系曲线可从制造商的手册中获得。 　　　　　　　　　　　 　

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功率MOSFET的反向导通等效电路（1）

功率MOSFET的反向导通等效电路（1）

张兴柱 博士

（1）：等效电路（门极不加控制） DDGSD SSVd （2）：说明： 即内部二极管的等效电路，可用一电压降等效，此二极管为MOSFET的体二极管，多数情况下，因其特性很差，要避免使用。　　　　　　　　　　　 　

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功率MOSFET的反向导通等效电路（2）

功率MOSFET的反向导通等效电路（2）

张兴柱 博士

（1）：等效电路（门极加控制） DDGS SRds(on) （2）：说明： 功率MOSFET在门级控制下的反向导通，也可用一电阻等效，该电阻与温度有关，温度升高，该电阻变大；它还与门极驱动电压的大小有关，驱动电压升高，该电阻变小。详细的关系曲线可从制造商的手册中获得。 此工作状态称为MOSFET的同步整流工作，是低压大电流输出开关电源中非常重要的一种工作状态。 　

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功率MOSFET的正向截止等效电路

功率MOSFET的正向截止等效电路

张兴柱 博士

（1）：等效电路 DDGS CossVoff S （2）：说明： 功率MOSFET正向截止时可用一电容等效，其容量与所加的正向电压、环境温度等有关，大小可从制造商的手册中获得。 　　　　　　　　　　　 　

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功率MOSFET的稳态特性总结

功率MOSFET的稳态特性总结

张兴柱 博士

（1）：功率MOSFET稳态时的电流/电压曲线 AVinGDRLIdsMOSFET器件作为控制开关的饱和导通工作点IdsVds=Vin?RL×idsVgs2Vgs1MOSFET器件作为同步整流开关的饱和导通工作点VdsVdsVgsVth时，器件处于导通状态；器件的通态电阻与Vgs有关，Vgs大，通态电阻小；多数器件的Vgs为12V-15V ，额定值为+-30V； 超过其额定值，保证散热没问题，则器件就是安全的； -- 器件的漏极电流额定是用它的有效值或平均值来标称的；只要实际的漏极电流有效值没有-- 器件的通态电阻呈正温度系数，故原理上很容易并联扩容，但实际并联时，还要考虑驱动的对称性和动态均流问题； -- 目前的Logic-Level的功率MOSFET，其Vgs只要5V，便可保证漏源通态电阻很小； -- 器件的同步整流工作状态已变得愈来愈广泛，原因是它的通态电阻非常小（目前最小的为2-4毫欧），在低压大电流输出的DC/DC中已是最关键的器件；

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