materialstudio 使用经验总结
关于 K 点
1. 应当使用多少个 k 网格 ?
很难一般地回答,只能给出一般建议。注意:一定要检查 k 网格,首先用较粗 糙的网格计算 ,
接下来用精细的网格计算。通过比较两次的结果 , 决定选用较粗糙的网格 , 或是继续进行更
精细网格的计算 , 直到达到收敛。金属体系需要精细的网格 , 绝缘体使用很少 的 k 点通常就
可以。小单胞需要精细格点 , 大单胞很可能不需要。 因此: 单位晶胞内原子数 很多（ 比如
40-60个）的绝缘体,可能仅需要一个（移动后的）k点。另一方面,面心立方的 铝
可能需
要上万个k点以获得好的DOS对于孤立原子或分子的超晶胞，仅需要在
Gamm点计算。对
于表面（层面）的超晶胞计算,仅需要（垂直于表面）z方向上有1个k点。甚 至可以增加
晶格参数c,这样即使对精细格点，沿z方向上也只产生一个k点（产生k 点后, 不要忘记
再把 c 改回）。
2. 当体系没有出现时间反演对称操作时 , 是否加入?
大多数情况下的回答是“是” , 只有包含自旋 - 轨道耦合的自旋极化 （磁性） 计算除外。这
时, 时间反演对称性被破坏 （+k 和 -k 的本征值可能不同 ）, 因此决不能加入时 间反演对称性。
3. 是否移动 k 网格 ?（只对某些格子类型有效 ）
“移动” k网格意味着把所有产生的k点增加x,x,x,把那些位于高对称点（或 线） 上的 k
点移动到权重更大的一般点上。通过这种方法 （也即众所周知的“特殊 k 点 方法” ）可以产
生等密度的 ,k 点较少的网格。通常建议移动。只有一点注意 : 当对半导体的 带隙感兴趣时
（通常位于Gamma,X或BZ边界上的其它点）,使用移动的网格将不会得到 这些高
对称性
的点,因此得到的带隙和预期结果相比或大或小。 这个问题的解决 :用移动的 网格做 SCF
循环，但对DOS计算，改用精细的未移动网格。
关于 k 空间布点的问题 , 建议参阅以下文献 Phys.Rev.B 49,16223 1994 如何构建缺陷晶体结构
晶体结构改成 P1, 然后去掉想抹去的原子就可以了 在ms中如何做空穴
对于金属缺陷 , 是直接剪切一个原子 ?
个人经验：就是直接把原子去掉就 0K;如果不是正版软件，有可能出现同时 去掉其他同位
置的原子,如果这种情况 ,就重新定义,问题就不会出现了 .还有,一般考虑孔 穴的时候 ,
都要标明哪些原子的迟豫 , 具体为什么不知道 , 国外的文献有提到 . 希望有做 空位的一起多
讨论.我 Q：183876402
PDOS选项
计算DOS时,选择PDOS可以画出s,p,d 轨道的DOS,但无法画出某一个原 子的 s,p,d 图
关于PDOS的Chart中求积分的问题
在用Castep计算出PDOS后，如何在Chart中对曲线局部进行积分 ？将 Chart 输出为 cav 格式,
然后在 excel 中求和简单,把数据导出 ,在 Origin 里作图,程序里有积分微 分卷积功能 , 在数据分析下面。作
图时选取积分范围。 优化结构
算能带一般需要优化结构。如果选择实验的参数 , 全部固定的话就不需要了 如何做二维电子密度图
MS结果文件夹中*.grd文件内存储的是三维空间各点的电荷密度值,利用这 个数据
就可以得
到二维的电荷密度等值线图 , 应该有专门的软件能画 , 不过用 matlab 编自 己编程序也不难 , 其
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