Gd2O3掺杂CeO2-δ固体电解质的电化学性能研究
宋希文;赵永旺;彭军;赵文广;安胜利
【期刊名称】《功能材料》 【年(卷),期】2004(035)0z1
【摘要】利用交流阻抗技术(EIS)测试了Gd2O3掺杂CeO2-δ固体电解质的电导率.当测试温度低于695℃时,阻抗谱由2个变形的半圆弧组成;而高温时仅有1个变形的半圆弧.固体电解质的晶格电导率、晶界电导率和总电导率与测试温度的关系服从Arrhenius公式.材料的电导率随成型压力的增大先增大,然后减小.随烧结温度的升高,材料电导率是升高的. 【总页数】4页(988-990,995)
【关键词】掺杂CeO2-δ;电导率;固体电解质;交流阻抗谱 【作者】宋希文;赵永旺;彭军;赵文广;安胜利
【作者单位】北京科技大学,冶金学院,北京,100083;内蒙古科技大学,材料科学与工程学院,内蒙古,包头,014010;内蒙古科技大学,材料科学与工程学院,内蒙古,包头,014010;内蒙古科技大学,材料科学与工程学院,内蒙古,包头,014010;内蒙古科技大学,材料科学与工程学院,内蒙古,包头,014010;北京科技大学,冶金学院,北京,100083;内蒙古科技大学,材料科学与工程学院,内蒙古,包头,014010 【正文语种】中文
【中图分类】TQ174.75+8.11 【相关文献】
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Gd2O3掺杂CeO2-δ固体电解质的电化学性能研究宋希文;赵永旺;彭军;赵文广;安胜利【期刊名称】《功能材料》【年(卷),期】2004(035)0z1【摘要】利用交流阻抗技术(EIS)测试了Gd2O3掺杂CeO2-δ固体电解质的电导率.当测试温度低于695℃时,阻抗谱由2个变形的半圆弧组成;而高温时仅有1个变形的半圆弧.固体电
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