Bi2VO5.5铁电薄膜的制备及电学性质研究

Bi2VO5.5铁电薄膜的制备及电学性质研究

张振伦;邓红梅;郭鸣;杨平雄;褚君浩

【期刊名称】《红外与毫米波学报》 【年(卷),期】2010(029)004

【摘要】利用溶胶凝胶法在 n-Si(100)衬底上成功制备了钒酸铋 (Bi2VO5.5)铁电薄膜.利用X射线衍射和原子力显微镜对薄膜的微结构进行了分析,结果表明,Bi2VO5.5薄膜与n-Si衬底有着良好的晶格匹配并表现出高度的c轴择优取向,晶粒大小均匀.对薄膜电学性质的研究表明,Bi2VO5.5薄膜具有良好的C-V特性,在±4V偏压下,存储窗大于0.4V.当外加偏压为3.2V时,漏电流密度为5×10-8Acm-2.1kHz下介电常数和介电损耗分别为95和0.22.这些结果说明,Bi2VO5.5在铁电存储器方面具有较大的应用前景. 【总页数】4页(248-250,302)

【关键词】钒酸铋薄膜;金属/铁电薄膜/半导体结构;溶胶凝胶;电学特性 【作者】张振伦;邓红梅;郭鸣;杨平雄;褚君浩

【作者单位】华东师范大学,极化材料与器件教育部重点实验室,上海,200241;上海大学,材料研究所,分析测试中心,上海,200444;华东师范大学,极化材料与器件教育部重点实验室,上海,200241;华东师范大学,极化材料与器件教育部重点实验室,上海,200241;华东师范大学,极化材料与器件教育部重点实验室,上海,200241 【正文语种】中文 【中图分类】TB303 【相关文献】

1.化学溶液沉积法制备的Bi4Ti3O12铁电薄膜的电学性能研究 [J], 吴显明; 王