宁夏师范学院数学与计算机科学学院 《电路与电子技术基础》
平面管结构剖面图
结构特点 1、三区两结 2、基区很薄 3、e区重掺杂 c区轻掺杂 b区掺杂最轻
4、集电区的面积则比发射区做得大，这是三极管实现电流放大的内部条件。
二、晶体管的电流分配与放大作用 1、放大状态下晶体管中载流子的运动 BJT 处于放大状态的条件：
内部条件：发射区重掺杂(故管子e、 c极不能互换)；基区很薄(几个?m)；集电结面积大
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外部条件：发射结正偏；集电结反偏
NPN型晶体管的电流关系
外加偏置电压要求
对 NPN管UC ＞ UB＞ UE 对 NPN管UE＞ UB
＞ UC
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2、电流分配关系
IEP :基区向发射区扩散所形成的空穴电流(很小) ICBO集电区与基区之间的漂移运动所形成的电流(很小) 晶体管的主要功能：
电流控制（基极电流控制集电极电流） 电流放大（放大的比例关系一定） 3、直流电流放大系数
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IBbICceIEI?I?IEBC??ICIB??20~200宁夏师范学院数学与计算机科学学院 《电路与电子技术基础》
共射极直流电流放大系数 三、晶体管的特性曲线
晶体管特性曲线：描述晶体管各极电流与极间电压关系的曲线。 1、共射极输入特性曲线
它是指一定集电极和发射极电压UCE下，三极管的基极电流IB与发射结电压UBE之间的关系曲线。
90603000.50.70.9uBE/ViB/|ìAUCE＝0UCE≥1 UCE=0时，e与c短路，发射结与集电结并联，特性类似PN
结。UCE增大时，曲线右移。
2、共射极输出特性曲线
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共射组态晶体管的输出特性：它是指一定基极电流IB下，三极管的输结电压
放大区：
★发射结正向偏置， 集电结反向偏置uCE>uBE，uBE>Uon 1、基极电流 iB 对集电极电流 iC 的控制作用很强 2、uCE 变化时, iC 影响很小（恒流特性）
即： iC 仅取决于iB ，与输出环路的外电路无关。
饱和区：★发射结和集电结均正向偏置。临界饱和：uCE=uBE，
饱和区iC/mAuCE＝uBE4放3大2区10510截止区出回路集电极电流IC与集电
IB?40?A30?A击穿区UCE之间的关系曲线。
20?A10?A0?A15iB＝－ICBOuCE/VuCB=0(集电结零偏)
1、iB一定时，iC比放大时要小；三极管的电流放大能力下降，通常有iC<βiB
2、uCE 一定时iB增大，iC基本不变
3、三极管的集电极和发射极近似短接，三极管类似于一个开关“导通”。
截止区：★发射结和集电结均反向偏置
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第四章 半导体二极管和晶体管
